氧化铝陶瓷绝缘子真空沿面闪络过程中的陷阱机制 traping and de-traping process resulting in the alumina surface flashover in vacuum.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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氧化铝陶瓷绝缘子真空沿面闪络过程中的陷阱机制 traping and de-traping process resulting in the alumina surface flashover in vacuum.pdf

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氧化铝陶瓷绝缘子真空沿面闪络过程中的陷阱机制 traping and de-traping process resulting in the alumina surface flashover in vacuum

第27卷第9期中国电机工程学报 V研．27No．9Mar．2007 ofⅡleCSEE @2007Cllin．Soc．for 2007年3月 Proceedings E1ec．Eng 中图分类号：TM85文献标识码：A 学科分类号：470·40 文章编号：0258—8013(2007)09．0001—05 氧化铝陶瓷绝缘子真空沿面闪络过程中的陷阱机制李成榕，丁立健，吕金壮，梁英 (华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室，北京市昌平区102206) and Process intheAhlminaSurfaceFlashoVerinV．acuum ’na山g De·trapingReslllting U Li-jian，LU Cheng—rong，DⅨGJin-zhuallg，LIANGYing of ClliIla队tric ①eij崦KeyLaboratoryHi曲V01诅ge＆EMC，№rdlPower嘣Vers咄ChaI唧iIlg ABSTRACT．伽llI】血aceralnic under发展过程仍不是很清楚[10]。一些研究者发现氧化铝 s卸叩lesprepared di日brent aIldVariousadditiVeswere sinteriI塔tempera眦s 陶瓷在真空中闪络前会发生预闪络和微放电现象， measuredtoindicate katediIl the妞pdensity锄d协apenergy 并认为这些现象会导致材料的最终闪络，基于这些 alllIninamatcdals stiInulated by曲mally curren“TSC)．T11e 现象研究者引入陷阱的概念尝试解释该现象(4以01， sllrl沁e onalumiIlaiIlVac哪m a cha曙es after叩plyingnegative 但由于没有对氧化铝陶瓷的陷阱参数进行测量分 wenaS日ashoVer measl】red，aS pmscVoltage(0．7，4№)were ofthe inVacum．ItisfbIlIldthatme 析，所以此论断仍缺乏强有力的证据。基于上述考 matedals perfbnn柚ces 虑，本文开展了氧化铝陶瓷的陷阱分布与其在真空 in hasa leVel dismbutionaluIllina t印eneIjgy density c伽嗽alionwim alldnashover in 中沿面闪络性能之间的关系的研究，试图为沿面闪 s慨cha玛es pe哟彻ances me me 络过程中的载流子入陷及脱陷机制提供一定的试 vac啪．Theis materiaL higherthe仃apdensi哆in ismcsurface melowerisⅡle highcr chargedensi吼and 验依据。