金属预置层后硒化法制备CIGS薄膜的研究进展.PDFVIP

第43 卷 第2 期 稀有金属材料与工程 Vol.43, No.2 2014 年 2 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING February 2014 金属预置层后硒化法制备CIGS 薄膜的研究进展 1 1,2 1 1 1 1 1 王 影 ，周爱军 ，戴新义 ，冯利东 ，徐晓辉 ，杜敬芳 ，李晶泽 (1. 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054) (2. 浙江大学 硅材料国家重点实验室，浙江 杭州 310027) 摘 要：系统综述了国内外采用金属预置层后硒化法制备Cu(In,Ga)Se (CIGS)薄膜的研究进展，重点从预置层制备过程 2 中靶材的选择、叠层方式以及后硒化过程中硒源种类和硒化方式的选择等几个方面对各种工艺的优点、存在的问题和 可能的解决方案进行讨论，并对金属预置层后硒化法的发展前景和趋势进行了展望。 关键词：金属预置层；硒化；CIGS ；薄膜太阳电池；光吸收层 中图法分类号：TB7 ；TK9 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2014)02-0506-07 [9- 13] 进入21 世纪以来，太阳电池的研究与应用一直是 覆、丝网印刷、喷墨打印等） ，其中采用真空法 [1-3] 世界各国关注的焦点 。Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) 薄膜太 制备的 CIGS 薄膜比较致密，晶粒尺寸较大，电池具 阳电池具有转换效率高、成本低、抗辐射性强、稳定 有较高的光电转换效率，是目前 CIGS 薄膜太阳电池 性好和弱光特性突出等众多优点，被国际上称为下一 产业化中应用较多的方法。现阶段，主流的真空制备 [4-8] 代最有前途的廉价太阳电池之一 。P 型半导体CIGS 工艺有两种：一种是多元共蒸发法，另一种是金属预 薄膜是太阳电池的光吸收层，它和 CdS 缓冲层、 置层后硒化法。 i-ZnO/n-ZnO 及上下金属电极共同构成了电池的主体 多元共蒸法经历了由一步法到两步法(Boeing 双 [14] 结构，如图 1 所示。在整个薄膜电池中，CIGS 光吸收 层工艺) 的发展 ，而现在一般都采用20 世纪90 年代 [15] 层的质量是影响太阳电池性能的核心因素，因此高质 美国可再生能源实验室(NREL)改进的三步共蒸法 。 量 CIGS 薄膜的高效低成本制备一直是各国研究的热 该工艺易于制备出