取代基对NN-二苯胺基均二苯乙烯类电致发光材料光电特性的影响.PDFVIP

2005 年第 63 卷 化 学 学 报 Vol. 63, 2005 第 6 期, 460～464 ACTA CHIMICA SINICA No. 6, 460～464 ·研究论文· 取代基对 4-N,N-二苯胺基均二苯乙烯类电致发光材料光电特性的影响 陈安尚 李亚明* 张 华 (大连理工大学精细化工国家重点实验室 大连 116012) 摘要 用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、循环伏安 (CV)、微分脉冲伏安 (DPV)等手段研究了 4 个 4-N,N-二苯胺基 均二苯乙烯类化合物的光电性能, 计算出它们的电离势(P )在 5.70～5.90 eV, 带隙值(E )在 2.78～2.88 eV, 分析了电化 I g 学行为, 讨论了取代基对吸收光谱、发射光谱和电子结构的影响. 结果表明, 引入供电子基团 OCH3 后, 分子氧化电位 降低, HOMO 能量升高, 电离势降低; 引入吸电子基团—Cl 后, 氧化电位升高, LUMO 能量降低, 电子亲和势增加. 取 代基—Cl 和—OCH 都使化合物的带隙(E )减小, 紫外-可见光谱的吸收峰和荧光光谱的发射峰均发生红移. 3 g 关键词 三芳胺; 电致发光; 空穴传输; 取代基 Influence of Substituents on the Properties of Photoelectricity in 4-N,N-Diphenylaminostilbene-like Electroluminescent Materials CHEN, An-Shang LI, Ya-Ming* ZHANG, Hua (State Key Laboratory of Fine Chemicals, Dalian University of Technology, Dalian 116012) Abstract The photo-electricity of four 4-N,N-diphenylaminostilbene-like electroluminescent materials, which exhibit intense photoluminescence in CHCl3 with their emission maximal range from 435 nm to 465 nm, were studied by UV-vis spectra, photoluminescent spectra, cyclic voltammetry and differential pulse voltammetry. Their band gaps E and ionization potentials P calculated are 2.78～2.88 eV and 5.70～5.90 g I eV, respectively. Th