GaN的低压MOCVD生长模型.pdf

52 半导体情报 　　　　　　　　第 38 卷　第 6 期　2001 年 12 月 GaN 的低压MOCVD 生长模型 杨红伟, 闫发旺, 章麒麟 (河北半导体研究所, 河北 石家庄　050051) 摘要: 用停滞边界层理论分析了低压M OCVD 外延GaN 的生长模型。通过优化反应室结构和工艺 条件, 成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的 GaN 外延层。 关键词: GaN ; 低压M OCVD ; 停滞边界层理论; 流场; 温场 中图分类号: TN 30401　文献标识码: A 　文章编号: (2001) - GaN f ilm grown by low pressure MOCVD , , YAN G Hong w ei YAN Fa w ang ZHAN G Q i lin (H ebei S em icond uctor R esearch Institu te , S h ij iaz huang 050051, Ch ina) : Abstract It analyzes the grow th m odel of GaN film grow n by low p ressu re m etal o rgan ic vapo r ( ) . depo sit L P M OCVD w ith self designed reacto r u sing static boundary layer theo ry By op tim izing , the reacto r shape and the grow th condition s the un ifo rm th ickness and good quality GaN ep ilayer are ob tained. : ; ; ; ; Keywords GaN L P M OCVD Static boundary layer theo ry flux field tem peratu re field 高晶体质量 GaN 的生长是制备GaN 异质结材料并 1　引　言 进一步应用于 GaN 基器件的基础。但由于常用的蓝 目前, 在绿、蓝、紫以及紫外波段最有应用前 宝石衬底与 GaN 之间存在很大的晶格失配 ( 约 ( ) ( ) 途的光电子材料当首选直接跃迁宽禁带的 GaN E g 16% , 而且生长温度较高 大于 1000℃ ,