GaN系量子阱器件的研究进展.pdf

第 38 卷　第 6 期　2001 年 12 月 　　　　　　　　半导体情报 13 GaN 系量子阱器件的研究进展 李嘉炜, 王 宇, 叶志镇 (浙江大学硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州　310027) 摘要: 介绍了在蓝宝石衬底和 ( ) 量子阱 和 ELO G 外延横向过生长 衬底上生长的 InGaN L ED LD 结构, 并描述了L ED 和LD 的器件应用。 关键词: 量子阱; 发光二极管; 激光二极管; ELO G 中图分类号: TN 3042+ 3　文献标识码: A 　文章编号: (2001) - Research advances in GaN ba sed QW dev ices , , L I J ia w ei W AN G Yu YE Zh i zhen (S tate K ey L aboratory of S ilicon M aterials , Z hej iang U niversity , H ang z hou 310027, Ch ina) : ( ) Abstract InGaN single quan tum w ell SQW structu re L ED s and InGaN m u lti quan tum w ell ( ) M QW structu re LD s grow n on the sapph ire sub strate and ELO G sub strate are in troduced in th is paper. A nd the device app lication s are described also. Keywords: QW ; L ED ; LD ; ELO G A kasak i 等人首次报道了用低能电子束照射 1　引　言 (L EEB I) 掺M g 的GaN 得到了低阻p 型 GaN , 两 近几年来, 人们对用发光区域覆盖紫外光到红 年之后N akam u ra 等人报道了利用在以 GaN 为缓 外光的 族氮化物化合物半导体 ( ) 制 冲层而得到的p 型 GaN 膜, 并第一次制造出了pn A lInGaN 造短波发光二极管 (L ED ) 和激光二极管 (LD ) 产 结蓝光L ED [ 1 ]。1992 年又研究出了 InGaN 的外延 [ 2 ]