天津大学 cmos mems技术与应用 秦玉香 考试复习版.docxVIP

MEMS—微电子机械系统--微机电系统Micro Electro Mechanical Systems特点：微型化、多样化、稳定性、集成化、批量化、广义化应用：军事国防、环境保护、工厂维修（压力传感器、微加速度计、微喷）体硅腐蚀包括:各向异性腐蚀和各向同性腐蚀体硅各向异性腐蚀：是利用腐蚀液对单晶硅不同晶向腐蚀速率不同的特性，使用抗蚀材料作掩膜，用光刻、干法腐蚀和湿法腐蚀等手段制作掩膜图形后进行的较大深度的腐蚀。机理：腐蚀液发射空穴给硅，形成氧化态Si+，而羟基OH-与Si+形成可溶解的硅氢氧化物的过程。体硅各向异性腐蚀：各向异性腐蚀液通常对单晶硅(111)面的腐蚀速率与(100)面的腐蚀速率之比很大((100)面与(111)面的腐蚀速率比为100:1)，因为：(111)面有较高的原子密度，表面预钝化层更容易生长；(100)面每个原子具有两个悬挂键，而(111) 面每个原子只有一个悬挂键，移去(111)面的原子所需的能量比(100)面要高。自停止腐蚀技术：在硅微结构的腐蚀中，不仅利用各向异性腐蚀技术控制理想的几何形状，还要严格控制腐蚀 的深度，特别对于制造硅薄膜、梁结构时。膜 和梁的厚度与精度对传感器的性能有主要影响严格地控制膜厚将由自停止腐蚀技术解决。自停止腐蚀技术：重掺杂自停止腐蚀 和 电化学自停止腐蚀重掺杂自停止腐蚀技术利用各向异性腐蚀液对重掺杂硅的腐蚀速率较小来实现腐蚀自停。干法刻蚀有三种实用技术： 等离子刻蚀ICP 离子研磨 反应离子刻蚀RIE等离子刻蚀主要特点：（1）速率高（2）环境清洁，工艺兼容性好。（3）掩膜选择性好300：1（4）表面形貌好，无应力集中现象（5）无晶向限制 反应离子刻蚀（RIE）DRIE（深度反应离子刻蚀）延伸了体硅工艺技术，使MEMS产品获得较高的深宽比，并且腔壁完全垂直。DRIE是利用高浓度的等离子源，使基底材料的等离子刻蚀过程与在侧壁上刻蚀保护材料的淀积过程 交替进行。DRIE过程与干法等离子体腐蚀的不同之处在于DRIE在腐蚀过程中可以在侧壁生成几毫米厚的保护掩膜。表面微加工技术表面微加工：是对淀积在基底表面上的薄膜层进行加工，利用类似IC制造中的各种标准方法，以硅片为基底，通过多层薄膜的淀积和图形加工制备三维微机械结构化学气相淀积分类： 常压化学气相淀积（APCVD) 低压化学气相淀积（LPCVD) 等离子增强化学气相淀积（PECVD)APCVD特点产量低，成膜厚度的均匀性不够理想。LPCVD特点压强的降低意味着减少载气气体，而生成薄膜所要的反应气体量和大气压下相同，从而使反应室内的反应气体相对增加，致使反应气体向衬底表面的扩散能进行更均匀PEVCD特点反应温度低SiO2作牺牲层多晶硅做结构层氮化硅是在基底表面牺牲层和结构层之前做，对基底进行保护。惰性材料，抗腐蚀强金属合金薄膜做结构薄膜使用多晶硅的淀积方法：低压化学气相淀积（LPCVD） 常压化学气相淀积（APCVD）等离子体增强化学气相淀积（PECVD）分子束淀积二氧化硅的制备：热氧化 、SiO2淀积（CVD）金属淀积工艺有许多种，包括电热蒸镀、电子束蒸镀、溅射沉积、金属CVD、激光辅助CVD和电淀积表面微加工技术存在着三个主要的力学问题：⑴层间黏附；⑵界面应力；⑶静态阻力界面应力：热应力、残余应力、薄膜结构中本身的应力SI外延技术就是生长一层类似超晶格的一层表面加工中核心技术是牺牲层，制作悬空可以活动的微结构，悬臂工艺流程去除牺牲层用 HF。LIGA 工艺LIGA工艺是一种基于x射线光刻技术的三维微结构加工技术，主要包括x光深度同步辐射光刻，电铸制模和注模复制三个最主要工艺步骤。X光深层光刻工艺（深度X射线曝光）LIGA 技术的主要特点：(1)可制作高度达数百至1000um，高宽比大于200，侧壁平行线偏离在亚微米范围内的三维立体微结构；(2)对微结构的横向形状没有限制，横向尺寸可小到0.5um加工精度可达0.1；(3)用材广泛，金属、合金、陶瓷、聚合物、玻璃都可作为LIGA加工的对象；(4)与微电铸、注塑巧妙结合可实现大批量复制生产，成本低。电镀和电铸的区别：(1)电铸的镀层通常相当厚。一般电镀镀层厚度大约在1～ 50μm 之间,而电铸镀层厚度一般明显大于数十微米,甚至经常达到几个毫米以上。(2) 在电沉积之后,电铸形成的物件都能从基体上自然分离。因此在电铸中镀层必须与基体之间结合力很低以至能够分 开。相反地,在传统的电镀过程中,镀层经常用来保护金属基体或者作为装饰之用,所以镀层与阴极必须结合得很好, 以免剥落。(3) 镀层的机械性能和尺寸控制精度在电铸工艺中是相当关键的,这就要求严格控制镀层的组分、结构和内应力。电铸件的自身性能与基体是无关的,但电镀得到的镀层的性能则与基体金属