微电子工艺Chapter 9(zhang)b.ppt

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2017-08-18 发布于河南
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微电子工艺Chapter 9(zhang)b

第九章集成电路制造工艺概况;9.2 CMOS工艺流程;9.2 CMOS工艺流程;9.2.1 硅片制造厂的分区概述;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—扩散;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—光刻;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—光刻;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—刻蚀;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—离子注入;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—离子注入;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—薄膜生长;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—薄膜生长（金属化）; 薄膜生长CVD Processing System;9.2.1 硅片制造厂的分区概述—抛光;9.3 CMOS制作步骤;;9.3 CMOS制作步骤—1双阱工艺;9.3 CMOS制作步骤—1双阱工艺;9.3 CMOS制作步骤—1双阱工艺;9.3 CMOS制作步骤—1双阱工艺;9.3 CMOS制作步骤—2浅槽隔离工艺;9.3 CMOS制作步骤—2浅槽隔离工艺;9.3 CMOS制作步骤—2浅槽隔离工艺;9.3 CMOS制作步骤—2浅槽隔离工艺;9.3 CMOS制作步骤—3多晶硅栅结构工艺;9.3 CMOS制作步骤—3多晶硅栅结构工艺;9.3 CMOS制作步骤—4轻掺杂漏注入工艺;9.3 CMOS制作步骤—4轻掺杂漏注入工艺;9.3 CMOS制作步骤—4轻掺杂漏注入工艺;9.3 CMOS制作步骤—5侧墙的形成;9.3 CMOS制作步骤—6源/漏注入工艺;9.3 CMOS制作步骤—6源/漏注入工艺;9.3 CMOS制作步骤—7接触孔的形成;9.3 CMOS制作步骤—8局部互连工艺;9.3 CMOS制作步骤—8局部互连工艺;9.3 CMOS制作步骤—8局部互连工艺;9.3 CMOS制作步骤—9通孔1和钨塞1的形成;9.3 CMOS制作步骤—9通孔1和钨塞1的形成;9.3 CMOS制作步骤—9通孔1和钨塞1的形成;9.3 CMOS制作步骤—10第1层金属互连的形成;9.3 CMOS制作步骤—10第1层金属互连的形成;*;9.3 CMOS制作步骤—11通孔2和钨塞2的形成;9.3 CMOS制作步骤—11通孔2和钨塞2的形成;9.3 CMOS制作步骤—11通孔2和钨塞2的形成;9.3 CMOS制作步骤—12第2层金属互连的形成;9.3 CMOS制作步骤—12第2层金属互连的形成;9.3 CMOS制作步骤—13金属3直到压焊点及合金;9.3 CMOS制作步骤—13金属3直到压焊点及合金;9.3 CMOS制作步骤—14参数测试;第九章作业（P 208);双极工艺举例;双极工艺举例;双极工艺举例;双极工艺举例