-1量能器.pptVIP

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7-1量能器

* 2. 闪烁体量能器 晶体需有如下特性: 密度要高,短的X0,小的Moliere半径。 光产额高,光的传输和搜集性好,能与光探测器件的光谱响应相匹配,以提高能量分辨 抗辐照性能好 光的衰减时间短 光产额随温度的变化小 机械性能好,有利于晶体的切割、抛光 价格合适 * Summary of Crystals for HEP Crystal NaI(Tl) CsI(Tl) CsI BaF2 BGO PbWO4 LSO(Ce) GSO(Ce) Density (g/cm3) 3.67 4.51 4.51 4.89 7.13 8.3 7.40 6.71 Melting Point (oC) 651 621 621 1280 1050 1123 2050 1950 Radiation Length (cm) 2.59 1.85 1.85 2.06 1.12 0.9 1.14 1.37 Molière Radius (cm) 4.8 3.5 3.5 3.4 2.3 2.0 2.3 2.37 Interaction Length (cm) 41.4 37.0 37.0 29.9 21.8 18 21 22 Refractive Index a 1.85 1.79 1.95 1.50 2.15 2.2 1.82 1.85 Hygroscopicity Yes Slight Slight No No No No No Luminescence b (nm)(at peak) 410 560 420 310 300 220 480 560 420 420 440 Decay Time b (ns) 230 1300 35 6 630 0.9 300 50 10 40 60 Light Yield b,c (%) 100 45 5.6 2.3 21 2.7 13 0.1 0.6 75 30 d(LY)/dT b (%/ oC) ~0 0.3 -0.6 -2 ~0 -1.6 -1.9 -0.3 -0.1 Experiment Crystal Ball CLEO BaBar BELLE BES III KTeV TAPS (L*) (GEM) L3 BELLE PANDA? CMS ALICE PANDA? BTeV… - - a. at peak of emission; b. up/low row: slow/fast component; c. measured by PMT of bi-alkali cathode. * NaI(Tl)的光产额最高,能与双碱标准光阴极PMT的光谱很好匹配;价格便宜,被广泛应用。 CsI(Tl)与PD的光谱匹配,抗磁性能好; 易于加工,不易碎裂; 与NaI(Tl)相比,不易潮解,X0小; * BGO、PbWO4 、LSO 在高能区,电子学噪声和光电子涨落不是影响能量分辨的主要因素,纵向能量泄露和刻度的不稳定性才是主要因素 BaF2及其紫外光读出 慢成分导致信号堆积而难以在高计数率下工作。 掺La可以压低慢成分而不牺牲快成分 可用紫外光敏气体TMAE的丝室探测,有很好的位置分辨、对磁场不敏感 价格昂贵 * 二、取样量能器 强子量能器普遍采用,中等分辨的电磁量能器也可采用 体积紧凑、价格低廉 取样灵活,方便地进行纵向和横向分割以提高位置分辨 利用感应片、感应条读出,提高位置和能量分辨 实现强子量能器的补偿 取样量能器采用高Z的材料作吸收介质 电磁量能器采用Pb,以压缩体积 强子量能器常用Fe或Cu(集吸收体、结构支架和提供磁场回路的功能于一身);添加低Z含氢或U材料为“补偿” 取样灵敏介质都是低Z物质,可以是固体、液体或气体探测器 取样量能器的信号读出方法分为 数字型 正比型 * * 1. 气体取样量能器 具有内部气体放大 位置分辨好 对磁场不敏感 抗辐照能力强 价格便宜 能量分辨率差 取样层较厚,不能作得太紧凑 正比型的输出信号涨落 ?si/Si为单个电子穿越灵敏层时的涨落,为朗道涨落,贡献较大 数字型仅有取样涨落,能量分辨好 盖革 或 SQS (BESI) 不适合在高计数率下工作 * * 2. 闪烁体取样量能器 易于加工和安装成各种形状 输出信号快 光产额大,光电子的涨落对能量分辨的影响小 易受到光收集不均匀的影响 光电倍增管M涨落的影响 闪烁体和光电器件随时间衰退 * 闪烁光纤量能器 吸收体介质层和闪烁光纤层相间堆砌而成 点阵结构,闪烁光纤埋藏于吸收物质之中 需抗辐照性能高的闪烁光纤;液体闪烁光纤 能量分辨达 5.7%/?E * 3. 液体介质取样量能器 液体的密度大、电离能损大,可用简单

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