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磷扩散 —太阳电池制造的核心工序 PN结——太阳电池的心脏 扩散的目的：形成PN结 PN结的制造 制造一个PN结并不是把两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在一起就能形成的。也就是要在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。 制造PN结，实质上就是想办法使受主杂质（P型）在半导体晶体内的一个区域中占优势，而使施主杂质（N型）在半导体内的另外一个区域中占优势，这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触 。 PN结的制造 制作太阳电池的硅片是P型的，也就是说在制造硅片时，已经掺进了一定量的硼元素，使之成为P型的硅片。如果我们把这种硅片放在一个石英容器内，同时对此石英容器内加热到一定温度，并将含磷的气体通入这个石英容器内，这时施主杂质磷可从化合物中分解出来，在容器内充满着含磷的蒸汽，把硅片团团包围起来，因此磷原子能从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。在硅片的整个外表面就形成了N型，而其内部还是原始的P型，这样就达到了在硅片上形成了所要的P-N结。----这就是所说的扩散。 扩散的原理 1、扩散：由于物体内部的杂质浓度或温度不均匀而产生的一种使浓度或温度趋于均匀的定向运动。 2、杂质在半导体中的扩散：由杂质浓度梯度引起的一种使杂质浓度趋于均匀的杂质定向运动。 3、间隙式扩散：杂质进入晶体后，仅占据晶格间隙，在浓度梯度作用下，从一个原子间隙到另一个相邻的原子间隙逐次跳跃前进。每前进一个晶格间距，均必须克服一定的势垒能量。 4、替位式扩散：杂质进入晶体后，占据晶格原子的原子空位（空格点），在浓度梯度作用下，向邻近原子空位逐次跳跃前进。每前进一步，均必须克服一定的势垒能量。 扩散装置示意图 扩散装置图片 扩散炉正视图 扩散装置图片 扩散炉气路系统 太阳电池对扩散的要求 对扩散的要求是获得适合于太阳电池p-n结需要的结深和扩散层方块电阻。浅结死层小，电池短波响应好，而浅结引起串联电阻增加，只有提高栅电极的密度，才能有效提高电池的填充因子，这样，增加了工艺难度；结深太深，死层比较明显，如果扩散浓度太大，则引起重掺杂效应，使电池开路电压和短路电流均下降，实际电池制作中，考虑到各个因素，太阳电池的结深一般控制在0.3～0.5?m，方块电阻均20～70?/□ 。 影响扩散的因素 管内气体中杂质源的浓度 扩散温度 扩散时间 影响扩散的因素 管内气体中杂质源浓度的大小决定着硅片N型区域磷浓度的大小。但是沉积在硅片表面的杂质源达到一定程度时，将对N型区域的磷浓度改变影响不大。 扩散温度和扩散时间对扩散结深影响较大。扩散温度决定了磷在硅晶体中扩散速度的大小。扩散速度和扩散时间的乘积确定P-N的深度。 N型区域磷浓度和扩散结深共同决定着方块电阻的大小。方块电阻的大小与磷杂质浓度和扩散结深成正比。 太阳电池磷扩散方法 １．三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 ２．喷涂磷酸水溶液后链式扩散 ３．丝网印刷磷浆料后链式扩散 ４．固态源扩散 用三氯氧磷液态源扩散是目前太阳电池行业里普遍采用的方法。 各种扩散方法比较 POCl3 简介 POCl3是无色透明有窒息性气味的毒性液体，所以要求扩散系统必须有很高的密封性，特别是源瓶进出口两端最好用聚四氟乙烯来连接，若用其它塑料管或乳胶管连接时易被腐蚀，需要经常更换新管。接口处用聚四氟带封闭，由系统流出的气体应通进排风管道连接到室外，不能泄露在室内。 源瓶要严加密封，切勿让湿气进入源瓶，因为POCl3易吸水汽而变质，使扩散表面浓度上不去，其反应式如下： 2POCl3+ 3H2O＝P2O5 + 6HCl 所以如果发现POCl3出现淡黄色时就不能再用了。 POCl3磷扩散原理 POCl3在高温下（600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），其反应式如下： 5POCl3====P2O5+3PCl5 生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下： 2P2O5+5Si====5SiO2+4P↓ POCl3磷扩散原理 由上面反应式生成的PCl5是不易分解的，并且对硅片表面有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）其反应式如下： 4PCl5+5O2=====2P2O5+10Cl2↑ 生成的P2O5又进一步与硅作用，生成SiO2和磷原子，由此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。 POCl3磷扩散原理 在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为： 2Si+2POCl3+O2===2SiO2+2P↓+3Cl2↑ POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P