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快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究!-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究!
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李养贤 杨 帅 陈贵峰 马巧云 牛萍娟 陈东风 李洪涛 王宝义
!）（河北工业大学材料学院，天津 $!$ ）
# ）（天津工业大学信息与通信学院，天津 $!’ ）
$ ）（中国原子能科学研究院，北京 !#%!$ ）
% ）（中国科学院高能物理研究所，北京 !%( ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和*+,, 技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照缺陷、电阻率、载
流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化 经快中子辐照，直拉硅样品的导电类型由 型转变为 型 在 和
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热处理出现两种受主中心，分别由 ， ， ， 及 型缺陷引起，这些缺陷态的出现使得样品中
’ 0 ! 1 ! 1 !1 !212 ! !
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空穴浓度迅速增加；大于’) 0 热处理这些受主态缺陷迅速消失，样品的载流子迁移率及载流子类型开始恢复，并
出现一种与辐照相关的施主态缺陷，导致样品的电子浓度增加，电阻率迅速下降- 这种施主态缺陷的浓度在3) 0
热处理达到最大，并在随后大于 ， 热处理很快被消除
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关键词：快中子辐照，空位型缺陷，受主，施主
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施主态）能级的辐照缺陷主要影响 （或 ）型硅单晶
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