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第三章 真空蒸发镀膜 Vacuum evaporative coating 3.1 真空蒸发镀膜原理 Principle of Vacuum Evaporative Coating 原理、结构与特点 principle, structure, characteristics 真空蒸发镀膜原理图 真空室 Coating chamber 蒸发源 Evaporation Sources 加热器 heater 蒸发舟boat ( filament ) 膜材 film materials挡板 shutter (shelter) 膜材蒸汽 基片 substrate 基片架substrate holder (substrate carrier) 基片加热器 heater 膜厚测量系统 2)蒸发镀膜的三个基本过程及条件3 basic processes 蒸发过程：由凝聚相变为汽相、进入蒸发空间的相变过程 evaporation process 输运过程：由膜材表面飞行到基片表面transfer process 沉积过程：由汽相变为凝聚相 deposition process 3）蒸发镀膜的真空条件 Vacuum condition ① 在真空条件下镀膜的目的、优点： 真空条件下易于蒸发（需要熔化的金属，熔、沸点降低；(melting point boiling point)需要汽化的金属，易于脱离表面形成蒸汽）； 真空条件下易于空间输运（膜材粒子散失少particle scattering ）； 真空条件下易于膜的生长（残余气体影响小 residual gas） 4）蒸发条件  evaporation condition ① 蒸汽压条件：使饱和蒸汽压达到1Pa以上，真空有助于蒸发 P39，表3-2： 常用材料的熔化温度及蒸汽压达到1 Pa 时的蒸发温度， 铬等材料先蒸发，后熔化 ② 温度条件：使饱和蒸汽压Pv达到1Pa 的蒸发温度T 材料蒸汽压Pv与温度的关系：克—克方程 P41，（3—3）式,可以推算温度T 简化为（3—5）式： 5) 残余气体的影响  residual gas ① 影响方式： a、膜材粒子的有效空间传输率； b、膜层的质量，产生孔洞，埋在膜层内成为杂质； c、溅射掉已沉积的膜材粒子，导致沉积速率下降。 ②残余气体的来源：内表面解吸；蒸发源放气；系统漏气；返流。 其中内表面解吸为主要来源，成分主要为水蒸汽。 书中P38 表3—1给出表面吸附单分子层内的分子数与空间气相分子数之比。 压力越低，表面分子比例越大。所以，应重视除气（烘烤、轰击）。 3.2蒸发源 Evaporative Sources 2) 电子束加热式蒸发源 ①原理：电场势能——电子动能——膜材热能 发热量 Q=IUt ②特点：能流密度大104~109 W/cm2 ； 温度高，用于难熔金属的蒸发； 直接作用于材料，热损失少，热效率高； 只用于导电膜材。 膜纯度好，不象电阻加热式有加热器材料蒸发问题。 缺点：电子枪结构复杂，造价高； 电压高，危险； U＞2万伏时有X射线辐射； 不适于化合物镀膜，成分易发生分解，因为温度高，并有电子破坏价键 3) 空心阴极枪电子束蒸发源 ①空心阴极等离子体放电原理： Hollow-Cathode Discharge 空心阴极结构 Construction of hollow-cathode 4)感应加热式蒸发源 ①原理：高频电源——感应圈高频电流、电场——高频交变磁场——坩埚、膜材中感应涡流 ——涡流焦耳热——膜材热能 结构：P57图3—13 ②特点：功率大；蒸发速率大；蒸发源温度（蒸发速率）稳定；一次装料多；适合连续工作 缺点：结构复杂，专用电源，造价高；热损失多，热效率低； 成分纯度低，有杂质 5) 激光加热式蒸发源 ①原理：CO2激光器，10.6μm波长，功率密度达106W/m2； 束斑小，要扫描。 ②特点：功率密度大，蒸发源温度高，可用于化合物的蒸发； 镀膜室结构简单，只有一个光窗，靶台。 3.3蒸发源的蒸发特性与膜厚分布 Evaporative Characteristics and Distribution of film thickness for Evaporative Sources 1) 基本假设： ①蒸汽分子在空间射线运动，与残余气体分子无碰撞散射 ②蒸汽分子间无碰撞（蒸汽压力低，源表面亦是） ③蒸汽分子在基片各处的凝结系数均为1，与入射方向无关。 2）点蒸发源的蒸发特性与膜厚分布 图1 点蒸发源的发射示意图 ①