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杂质半导体中的载流子统计
第五章半导体载流子的平衡态统计分布
5.1 状态密度
5.2 费米能级和载流子的统计分布
5.3 本征半导体中的载流子统计
5.4 杂质半导体中的载流子统计
5.5 简并半导体
1/54
5.4 杂质半导体中的载流子统计1
5.4.1 非补偿情形（单一杂质）
－杂质能级的分布函数：电子（或空穴）占据杂质能级的几率
能带中的能级 可以容纳2 个电子
全空
杂质能级 可以容纳1 个电子
全空
2/54
1
5.4 杂质半导体中的载流子统计2
5.4.1 非补偿情形（单一杂质）
－杂质能级的分布函数 可以证明：
(1) 电子占据施主能级的几率 (2) 空穴占据受主能级的几率
1 1
f D (E ) f A (E )
1 ED Ef 1 Ef EA
1 exp 1 exp
2 kT 2 kT
讨论fD (E) ： 1o 当E -E kT 时f (E) 0
D f D
2o 当E -E kT 时f (E) 1
f D D
3o 一般情况下 0 f (E) 1
D
当E = E 时 f (E)=2/3
D f D
3/54
5.4 杂质半导体中的载流子统计3
5.4.1 非补偿情形（单一杂质）
－杂质能级的分布函数：术语定义 电离施主浓度
施主能级上的电子浓度 （向导带激发电子的浓度）
（未电离的施主浓度） n N n N 1f (E )
D D D D D
nD N D f D (E )
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