有源层厚度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响.PDFVIP

华 南 理 工 大 学 学 报 （自然科 学版） 第４１卷 第９期 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．４１　Ｎｏ．９ ２０１３年９月 （ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　２０１３ 文章编号：１０００５６５Ｘ（２０１３）０９００２３０５ 　 有源层厚度对 ＺｎＯ薄膜晶体管电学性能的影响 刘玉荣　李晓明　苏晶 （华南理工大学 电子与信息学院，广东 广州５１０６４０） 摘　要：为优化氧化锌薄膜晶体管（ＺｎＯＴＦＴ）的工艺参数，采用射频磁控溅射法沉积 ＺｎＯ薄膜制备出不同有源层厚度的ＺｎＯＴＦＴ器件，探讨了有源层厚度对ＺｎＯＴＦＴ电学性 能的影响．实验结果表明：有源层厚度在６５ｎｍ附近时，ＺｎＯＴＦＴ器件的性能最好；有源层 太薄时，ＺｎＯ薄膜的结晶性差，薄膜内部存在大量孔洞和缺陷，从而导致ＺｎＯＴＦＴ器件的 载流子迁移率较低，开关电流比较小；有源层太厚（大于６５ｎｍ）时，ＺｎＯＴＦＴ的载流子迁 移率和开关电流比随有源层厚度的增加而减小，这是因为随着有源层厚度的增加，载流子 在源、漏电极附近高电阻区的导电路径增加． 关键词：薄膜晶体管；氧化锌；有源层厚度；电学性能 ＋ 中图分类号：ＴＮ３２１．５　　 ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００５６５Ｘ．２０１３．０９．００４ 　　近年来，薄膜晶体管（ＴＦＴ）在有源矩阵驱动平 具有薄膜致密、溅射速率高、薄膜均匀性好、低温工 板显示器领域得到了广泛的应用，而ＴＦＴ半导体有 艺、可大面积沉积等优点而被广泛采用． 源层的种类和性质对平板显示器的性能、制作工艺 文中采用射频磁控溅射法，以高纯ＺｎＯ作溅射 等方面具有重要的影响．目前，有源矩阵平板显示器 靶材，在已生长ＳｉＯ的ｎ型硅片和相同的溅射工艺 ２ 通常采用非晶硅（ａＳｉ）或多晶硅（ｐＳｉ）作为ＴＦＴ的 条件下通过控制溅射时间生长出不同厚度（ｔ）的 沟道有源层材料．然而，Ｓｉ基材料的带隙较窄，对可 ＺｎＯ薄膜作为有源层，制备出对应的底栅顶接触型 见光敏感，在平板显示器制作过程中需要采用特殊 ＺｎＯＴＦＴ器件，探讨了ＺｎＯ薄膜有源层厚度对ＺｎＯ 的隔离工艺来防止发光像素对 ＴＦＴ性能产生的不 ＴＦＴ器件性能的影响及其机理． 良影响，从而使工艺的复杂度增加，成本上升，显示 ［１３］ １　实验 器的开口率降低 ．ＺｎＯ是一种透明氧化物半导 体材料，具有带隙宽（～３．３７ｅＶ）、对可见光透明、载 以电阻率为０．６～１．２ ·ｃｍ、晶向为（１００）的 Ω 流子迁移率相对较高、低温工艺、环境友好等优点， ＋ ｎ型单晶硅片为衬底并充当晶体管的栅电极，采用 因此，ＺｎＯ基ＴＦＴ被认为是最有希望的下一代薄膜 标准硅工艺清洗硅片后，用２０％（质量分数）的ＨＦ 晶体管技术，得到了广泛的关注，已成为研究的热点 溶液除去