烷的精制及罐装.pdfVIP

第26卷第5期 2008年 1O月 低 温 与 特 气 LowTemperatureandSpecialtyGases Vo1．26，No．5 Oct．，2008 硅烷的精制及罐装 于剑 昆 (黎明化工研究院，河南 洛阳 471000) 摘要：介绍了硅烷 (Sill)的物化性质和应用。电子和半导体行业用Sill 要求有高的纯度，重点介绍了Sill 的 精制工艺。Sill 的精制方法主要有吸附法、冷冻法和精馏法3类 ，它们均能满足各 自的工艺需要。此外，详细 介绍了国外高纯Sill 的灌装工艺。 关键词：单硅烷；精制；罐装 ；电子特气 中图分类号：TQ127．2 文献标识码：A 文章编号：1007．7804(2008)05—0014—07 Purification And FillingofM onosilane YUJian—kun (LimingResearchInstituteofChemicalIndustry，Luoyang471000，China) Abstract：Thephysicalandchemicalpropertiesofmonosilane(Sill4)wereintroduced．TheSill4whichusedinelectronic andsemi conductorindustriesmusthavehighpurity．Thepurificationmethodsof Sill4wereintroducedindetm1．Th eSill4 purificationmethodsincludedthreemethod ssuchasadsorption，freezinganddistillationandtheyallcouldmeettherequires respectively．Inaddition，thefilhngprocessesofhishpuritySill4inabroadwerealsointroducedindetail． KeyW ords：monosilnae；purification；filling；electronicspecialytgases 1 Sill 的性质及应用 物激烈反应 ，反应式如下 ： Sill4+4Br2一+SiBr4+4HBr (1) 硅烷又称单硅烷和 甲硅烷，分子式为 Sill ， Sill 加热到400oC开始分解为非晶态硅和H ， 相对分子质量32．12。Sill 在常温、常压下为一种 600oC以上分解生成晶体硅，半导体工业主要采用 无色、有窒息性气味、高活性和可压缩气体。其主 该方法来生产多晶硅。 要物理性质如下…：101．3kPa下的沸点一ll2cc、 SiH 的毒性很大，1983年美国政府工业卫生 熔点 一184．7oC、O℃和 101．3kPa下的气体密度 学家会议 (ACGIH)提出的空气 中最低允许浓度 1．44kg／m 、一185℃下液体密度 711kg／m 、 为5×10 (v／v)。Sill 会强烈刺激人体的呼吸 21．1oC和 101．3kPa下相对密度 1．2、临界温度 道，中毒者可能出现头痛和恶心等症状，它在人体 一 3．4℃、临界 压力 4．842MPa、临界密度 247