bi2o3掺杂对nicuznpzt复合材料电磁性能的影响 effects of bi2o3-doping on the electromagnetic properties of nicuznpzt composite materials.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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bi2o3掺杂对nicuznpzt复合材料电磁性能的影响 effects of bi2o3-doping on the electromagnetic properties of nicuznpzt composite materials.pdf

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bi2o3掺杂对nicuznpzt复合材料电磁性能的影响 effects of bi2o3-doping on the electromagnetic properties of nicuznpzt composite materials

电、，01．27 第27卷第10期子元件与材料 No．10 ANDN“旧ERIALS 2008年lO月 ELECTRONICCOMPONENTS Oct．2008 陈世钗，贾利军，张怀武，罗俊，况佳 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室。四川成都610054) 与PzT的质量比为7：3和6：4的两种复合材料在900℃下均可实现低温烧结，其烧结体密度均大于5g／e一．其中，7：3 的∥’达到27，，大于34；6：4的∥7达到16，一大于50，均有望制作成不同性能指标的电感，电容双功能材料．关键词：电子技术；NiCuZn／PZT铁氧体，陶瓷；Bi203掺杂；低温烧结；电磁性能；显微结构中图分类号：TB332 文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2008)10-0035．03 Effectsof onthe of Bi203-doping properties electromagnetic NiCuZn／PZTmaterials composite CHEN Shi·thai，JIA Huai-we，LUOJun，KUANGJla Li-jun，ZHANG ofElectronicThinFilm (State and ofElectronicScienceand of KeyLaboratory IntegratedDevices，University Technology China,Chengdu610054。China) was a method．Then Abstract：Firstly,Foo．够SroMZro．52．n嗍炳(abbreviated[ISP2T)nanopowderpreparedby sol—gel NiCuZn／FZFfertile／ceramic were asolidstatereactionmethod．Theeffectsof aslow compositesprepared Bi203·doping by the aid011 microstructuresand of were the electromagneticcompositesinvestigated．As temperaturesintvring properties withmassratioofNiCuZntOP2可ofboth7：3and6：4carlrealizel