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bsim4和ultra-bulk模型对称性和连续性的检验 benchmark tests on symmetry and continuity characteristics between bsim4 and ultra-bulk
第30卷第1期 固体电子学研究与进展 V01.30.NO.1
2010年3月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Mar.,2010
BSIM
连续性的检验
李博h2牛旭东1’2宋岩2何进1’矿林信南-
2008一iI一28收穑,2009—03—26收改稿
摘要:以对比的形式用GUMMEL对称测试电路的模拟结果检验了伯克利大学的BSIM4和北京大学的UL—
流高阶导数以及电容等的连续性和对称性上具有一系列的缺陷,而最新发展的基于表面势的MOSFET解析模型
ULTRA—BULK却表现出必需的连续性和对称性。既然这些属性对于模拟电路和射频电路设计都是非常重要的,
那么新一代CMOS模型采用基于表面势的各种MOSFET解析模型将是必然的发展。
关键词:解析模型;BSIM4;ULTRA-BULK;电路设计和模拟;连续性,对称性
文献标识码:A 文章编号:1000—3819(2010)01—0027-05
中图分类号:TN386
BenchmarkTestson and
SymmetryContinuity
betweenBSIM4andULTRA—BULK
LIB01’2 SONGYan2HE LINXinnanl
NIU Jinl·2
Xudon91’2
(1ShenzhenGraduateSchool,Schoolof Shenzhen,
ComputerJnformationEngineering
PekingUniversity,Shenzhen,Guangdong,518055,CHN)
ShenzhenSOC
(2PekingUniversity Key
thebenchmarktestresultsonthe and
Abstract:This symmetrycontinuity
paperpresents
betweenfrom andULTRA—BULKfrom iS
characteristicsBSIM4 University.It
Berkeley Peking
model hasaseriesofthe ofthe
shownthatthe standardBSIM4
industry shortcomingscontinuity
and asthe currentderivatives,andthe
charge,high-order trans—capacitances
symmetry,such
whilethe advanced basedMOSFET model,ULTRA—BUI。K,
latest sur{ace—potential compact
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