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2017-08-22 发布于上海
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b-si-pb玻璃掺杂pbsnf-pzt压电陶瓷的性能研究 piezoelectric and dielectric properties of b-si-pb glass doped pbsnf-pzt ceramics

第30卷第7期电子元件与材料 Vbl．30NO．7 AND 2011年7月 ELECTRoNICCoMPONENTSMATERIALS Jul．2011 吕文中，王莹，范桂芬 (华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074) 制PBSNF．PZT陶瓷的结构未改变，仍为四方相的钙钛矿型铁电体，晶粒尺寸降低，压电性能和介电性能改善，烧 950，结温度降低。玻璃掺杂量为质量分数0．5％，在1150℃烧结所制的PBSNF．PzT陶瓷综合性能较好：Er=1 tan6=O．016，d33=470 pC／N，k31_0．40，适用于对灵敏度要求较高的压电驱动器件。关键词：压电陶瓷；玻璃掺杂：压电性能中图分类号：TM282文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2011)07．0018-04 Piezoelectricanddielectric ofB—-Si-·Pb properties glassdoped PBSNF．PZTceramics LU Guifen Wenzhong，WANGYing，FAN ofElectronicsScienceand ofScienceand University 430074，China) (Department Technology,Huazhong Technology,Wuhan were thetraditional synthesizedby on solid-statereactionmetllod．Theeffectsof the B-Si—Pb(B203一Si02-PbO)glassdoping phase as anddielectricwellas ofthePBSNF—PZTceramicswere resultsshowthat piezoelectricproperties investigated．The ofB·Si-Pb of smallamount showslittleeffectonthe structurethePBSNF-PZT are doping glass phase ceramics，which a ferroelectricswith the sizeand the tetra