euv光刻技术的发展 advance in euvl technique.pdfVIP

EU V光刻技术的发展 本刊编辑部 摘 要：介绍了半导体产业在制造极限的技术路线选择方面，下一代光刻技术一极紫外光刻设 hill技术节点极紫外光刻进 备面临的挑战及其开发和技术应用的进展现状。指出了在未来的22 入量产的可能性。 nnl技术节点。 关键词：极紫外光刻；现状；光学系统；掩模；抗蚀剂；22 中图分类号：TN305．9 文献标识码：A AdvanceinEUVL Technique EditorialO伍ceofEPE Abstract：Theofsemiconductor limitandadvanceofnext Roadmap industrymanufacturing ultraviolet introducedinthis paper， generationlithography(NGL)--extremelithography(EUVL)is EUVLinthefutureof22nln node． outthemass of probability technology point produce Ultraviolet hillnode Keywords：ExtremeLithography；Status；OpticsSystem；Mask；Resist；22 1 引言 片制造工艺在深亚微米发展的主要障碍，此前业界 不断预言芯片的光刻技术将在未来几年内达到其 当前，整个半导体工业正在逼近光学光刻制程 极限，但通过光刻工程师和专家孜孜的追求，以曝 的物理极限(见表1)。在没有套用特别设计的光学 光波长和工艺因子的改变来努力突破分辨率极限 hill 光刻制程技术时，我们将需要使用到像极短紫外光 的限制。起初，最有希望取代193 ArF光刻的是 Ultraviolet 以F：激光为曝光光源的157nnl光刻技术。但是， 光刻技术(EUVL：Extreme Lithography)或 由于157衄光刻需要采用氟化钙光学系统，因此已 电子束投影光刻(EPL)等下一代光刻技术(NGL)，以 便将制程蓝图延伸到32nlll技术节点以下。当光学经被证明是不切实际的。极紫外光刻(EUV，13．2nm) 光刻技术逼近物理极限时，光刻技术的关键要素将 尽管在未来几年内不会出现适用量产的极紫外光 A／NA， 刻设备，但它仍然是22hill技术节点以下光刻技术 会被严重地改变。根据瑞利衍射定理R=后1 其中：R为光学分辨率，A是曝光光源的波长，NA的未来发展方向。 为曝光镜头的