euv掩膜版的等离子刻蚀法.pdfVIP

…．． 电子工业苣用设备E用 ：撞苤堑闻：麴型鲍些堕吨哟些趔幽．■昌口 EUV掩膜版的等离子刻蚀法 随着集成电路制造技术的进步，尽管CD已经 用了Gibbs能最小化方法来计算组分平衡以决定 接近物理和理论极限，其继续减小的趋势依旧延续 产物的挥发性。计算了TaBO／TaBN吸收体刻蚀的 着。无论如何，目前的光刻技术将在未来的几年之 内达到极限，下一代使用更短波长的光刻技术即将 多步刻蚀研究。第一步是TaBO(抗反射层)的刻蚀， 进入人们的视线。 第二步是TaBN(吸收体)的刻蚀。碳是从气相反应 这些更短波长技术中EUV的呼声最高。它采 物中分解的唯一非挥发性产物。如果分解反应发生 用的是仅13．5 nm的波长，相较其它光学光刻来说 在刻蚀表面，碳将沉积下来并速度放慢，甚至在轰 具有很大的优势。EUV光刻采用的掩膜版比普通 击较弱的条件下使刻蚀停止。 的光学掩膜版缩小了近4倍，但其规格要求却比现 当TaBN被刻蚀时，TaBO部分也被暴露在氯 在的193nnl节点更加严格。EUV掩膜版主要的制气里。因此，需要研究氯气对TaBO刻蚀的热力学。 造要求包括几乎为零的刻蚀CDbias以及完美的结果表明，在周边温度条件下，产生了非挥发的 CD均匀性。目前，CD的非均匀性主要来自光刻胶B203，它导致了刻蚀工艺和刻蚀停止的减速。 腐蚀的不均匀。局部刻蚀CDbias控制是实现CD TaBO反射亚层被刻穿后，CF4将持续刻蚀下面 bias和均匀性的主要挑战。 的TaBN。由于TaBN比反射层厚，所以光刻胶也将 业界采用的比较实用的方法是使吸收层尽可 被继续腐蚀，反射层的水平尺寸也将继续改变，产生 能的薄，这样一来，光刻胶也会变薄，深宽比也会相 严重的CDbias。为了去除这些不良影响，只在TaBO 应的减小，CD bias和刻蚀均匀性也会得以改善。同被刻穿后使用氯气。第二步中TaBN的刻蚀速率很 样的，薄的光刻胶层在图形转移过程中也会有更好 高，这是因为较高的挥发性，但是TaBO的边缘由于 的CD表现。 产物的非挥发性所以刻蚀速率较低。反射层和吸收 最近的研究中提出了一种基于热力学计算的 体产物挥发性的不同产生了TaBN对TaBO的选择 self-mask概念。该方法采用的吸收层中含有抗反射 比。因此，反射层在TaBN刻蚀中起到了硬掩膜的作 成分以及吸收体。两个亚层的化学组分不同，因此 刻蚀速率也不尽相同。吸收体相对于抗反射层的选 实现无CDbias并增强了CD均匀性的控制。 择比补偿了抗反射亚层，起到了硬掩膜的作用。尽 管在叠层中依然有光刻胶，但是抗反射层起到了主 要的掩膜作用，并决定了CD的值，因为光刻胶受 制于腐蚀作用。 EUV掩膜中的吸收体大致有几种。总的来说， 抗反射亚层与吸收体的化学成分基本相同，除了氧 含量之外。最早人们倾向于实用含铬的吸收体用于 EUV掩膜，但是现在Ta材料的使用更多。 图l TaB0厂raBN吸收层EUV掩膜版截面图 TaBO／TaBN、TaON／TaN和TaSiON／TaSi等都是掩 膜吸收体的候选者。 在确定最佳刻蚀条件时，self-mask方法使得采 为了优化工艺，经常需要运用到刻蚀清洗的方 用刻蚀选择比优化比刻蚀CD优化更实际。选择比 法，但这种方法会产生挥发性的刻蚀产物。因此采 60页) 的优化既不需要高质量的光刻胶，(-F-转g (9(总第182期)圈圜圃 万方数据 时，还实现了80 am这一全球最小的栅极间距。作 通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具 为实现超