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2017-08-21 发布于上海
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flash memory测试技术发展 development of flash memory testing

V01．31 第31卷第4期电子器件 No．4 Chinese Of日∞曲on[k3vi(：l暑 2008年8月 JⅢrnal Aug．2008 ofFlash DevelopmentMemoryTesting GUO Gui—liang，ZHUSi-qi，YAN Yao-peng。 Sysmn (Dept．ofElectronicsTechnology，InstituteofMicrotlectronics，ChineseAcademy tOits as a．q dis— back wellthefutureofflash iS Abstract：Lookingevolvingbackground，thedevelopment n瓷nDry cussed．Thediscussionis ontheFlash-marchandBFD is thatthe emphasis put algorithm algorithm．Itpointed based offlash is onthe of orderto withflash developmentmemory developmenttesting．In keeptOgether memory must into with and testingaccountflash testing，weMng rrmmrydevelopmentsynthetically． Keywords：flashmemory；test；built-in-self-test；faultmodel；march EEAoC：2570 Flash Memory测试技术发展郭桂良，朱思奇，阎跃鹏。 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：从Flashmemory测试技术的发展背景出发，论述了flashmemory测试技术的发展现状以及前景。同时重点对 Flash-march算法和BFD算法进行了分析和评价。指出Flash memory本身的发展和测试技术的发展综合考虑，才能有助于两者的协调发展。关键词：闪存；测试；自建测试；错误模型；march 中图分类号：TN407 文献标识码：A 文章编号：l∞5-9490(2∞8)O}113帅4 随着微电子技术的发展，FlashMemory不断发穿效应。浮栅晶体管被排列成阵列组成Flash 展成熟，FlashMemory的测试技术已经变得越来越重要。从结构上划分FlashMemory大体上可以分与此大致相同，列是由位线组成(bit line)，行是由字为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种。