ft为77ghz的蓝宝石衬底0.25μm栅长algangan高电子迁移率功率器件 0.25μm gate-length algangan power hemts on sapphire with ft of 77ghz.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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ft为77ghz的蓝宝石衬底0.25μm栅长algangan高电子迁移率功率器件 0.25μm gate-length algangan power hemts on sapphire with ft of 77ghz.pdf

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ft为77ghz的蓝宝石衬底0.25μm栅长algangan高电子迁移率功率器件 0.25μm gate-length algangan power hemts on sapphire with ft of 77ghz

第27卷第6期半导体学报 v01．27No．6 CHINESEJOuRNAL0F 2006年6月 SEMICoNDuCTORS June，2006 PowerHEMTs AlGaN／GaN 0．25IJLmGate-Length on 77GHz Sapphirewith^of WuDexin ZhengYingkui+，LiuGuoguo，HeZhijing，LiuXinyu，and 100029，cm，l口) (，肿ffm抛D，MfcrDekcfrDnfcs，c砌le跎Ac口demyo，＆fe，lces，＆玎i愕 electron fab— Abstr牡t：MoCVD-grownAlGaN／GaN O．25pmgate-length h培h mobility ricatedon substrates．Aextrinsictransconductanceof anda currentcutoff sapphire peak 250mS／mmunity gain 77GHzareobtainedfora deVice．Thesedevicesexhibit frequency(厂T)of o．25_umgate-lengthsinglefinger power amaximumdraincurrent as as acontinuous-wave densityhigh1．07A／mm．on-chip testingyielded outputpower of27r．04dBm8GHzan at withassociated of26．5％foran device． power—addedefficiency 80×10弘m eIectron transistor Keywords：GaN；sapphiresubstrate；high mobi“ty EEACC：2560S CLC D0cument Article number：TN386 code：A ID：0253．4177(2006)06．0963．03 61． cOnductionDroblemL In 1 Introduc_itiOn this themicrowaVe