02复合材料增强原理.PPT

电介质的电极化率?e：束缚电荷和自由电荷的比例： ?e=P/ ?oE= (?r-1 ) 得： P= ?o ?eE（作用物理量与感应物理量间的关系） 常用材料的相对介电常数 材料 ? r 材料 ? r 石蜡 2.0-2.5 石英晶体 4.27-4.34 聚氯乙烯 4.45 TiO2晶体 86-170 天然橡胶 2.6-2.9 TiO2陶瓷 80-110 酚醛树脂 5.1-8.6 BaTiO3陶瓷 1700 4 影响介电常数的因素 极化类型的影响 温度的影响 介电常数与温度成强烈非线性关系 介电常数与温度成线性关系 介电常数的温度系数TK ? 一般而言，介电常数很大的材料其TK ?为负值 频率的影响 组成的影响 Clausius-Mosotti方程 Vm是摩尔体积；r是相对介电常数, 是分子极化率 离子 Ba2+ Ti4+ Ta5+ O2- La3+ Nb5+ Nd3+ 极化率 6.40 2.93 4.73 2.01 6.07 3.97 5.01 晶粒大小的影响 晶粒越小，介电常数越大 气孔率的影响 εcorr是气孔率为零的陶瓷的介电常数，P是气孔率，εexp是测得的陶瓷介电常数 多相的陶瓷材料 混合对数法则 lgεr (mixed) = ∑(vi lg εi) 式中，εr (mixed)表示混合相体系的介电常数，εi是i相的介电常数，vi是i相的体积分数。 第五节 电介质的介质损耗 1 电介质介电损耗的基本概念 电介质在电场作用下，在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率，简称为介质损耗 电介质的重要品质之一 2 介电损耗的形式 电介质在电场作用下，内部通过电流有以下内容： 电容电流：由样品的几何电容充电引起电流（位移电流）； 介质极化的建立引起电流：与极化松弛等有关； 介质的电导（漏导）造成的电流：与自由电荷有关。 （1） 电导（或漏导）损耗 非理想电介质：存在弱联系带电粒子（或空位）而定向移动 一切工程介质在电场作用下都有电导损耗发生 （2） 极化损耗 松弛极化建立时间长，极化造成的电距滞后外加电场，产生损耗的根本原因 外加电场频率较低，极化跟得上电场的变化，不产生极化损耗 外加电场频率较高，极化跟不上电场的变化，产生极化损耗 （3 ）电离损耗 电离损耗（游离损耗）是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过了气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成损耗 4 结构损耗 与介质内部结构的紧密程度密切相关的损耗 与温度关系不大，损耗功率随频率升高而增大 结构紧密的晶体或玻璃的结构损耗都很小，但掺入杂质、淬火急冷会导致损耗大大提高 （5） 宏观结构不均匀的损耗 各相的介电性质不同，有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀，造成局部有较高的电场强度而引起了较高的介电损耗 3 影响材料介电损耗的因素 材料结构本身的影响； 外界环境或试验条件的影响 （1 ）频率的影响 ω很小，各种极化机制都能跟得上电场的变化，不存在极化损耗，介质损耗主要由电介质的漏电引起， ω增加，tanδ减小 ω 增加到某一值时，松弛极化跟不上电场的变化， ω增加，tanδ增加 ω很大时， tanδ趋于0 （2 )温度的影响 1 强电场作用下绝缘材料的破坏 介质的击穿：外加电场强度超过某一临界值V穿时，介质由介电状态变为导电状态的现象。 V穿称为击穿电压 材料所能承受的最大电场强度称为材料的抗电强度或介电强度。 第六节 绝缘材料的抗电强度 电击穿：雪崩效应 热击穿 化学击穿：离子电导引起电解还原，电导损耗上升，热化学击穿；封闭气孔电离，升温，发生还原反应 2 击穿形式 3 影响抗电强度的因素 外在因素的影响 温度的影响：对电击穿影响不大，对热击穿影响大。漏导电流增大，损耗增大。热量不容易散发 频率的影响： 组成结构的影响 介质结构不均匀的影响 气孔的影响 表面状态和边缘电场 (3 )赛贝克效应 当两种不同的金属或合金A、B联成闭合回路,且两接点处温度不同,则回路中将产生电流,这种现象称赛贝克效应. 相应的电动势称为热电势,其方向取决于温度梯度的方向.规定热电势方向为,在热端,若电流由A流向B,则B为正A为负,即在热端电流由负流向正. 赛贝克效应 贝赛克效应的实质在于两种金属接触时产生的接触电势差 VA、VB分别为金属A和B的逸出电势，NA和NB分别为有效电子密度 热电势： (1 ) 金属本性的影响 不同金属由于其电子逸出功和自由电子密度不同,热电势也不相同.纯金属的热电势按以下次序排列:Si、Sb 、 Fe 、 Mo 、 Cd 、 W 、 Au 、 Ag 、 Zn 、 Rh 、 Ir 、 Tl 、 Cs 、 Ta 、 Sn 、 Pb 、 Mg 、