薄膜物理与技术 1-2章 真空技术基础与真空蒸发.ppt

(1) 称重法 (a) 微量天平法 原理：建立在直接测定蒸镀在基片上的薄膜质量基础之上。 　它是将微量天平设置在真空室内，把蒸镀的基片吊在天平横梁的一端，测出随薄膜的淀积而产生的天平倾斜，进而求出薄膜的积分堆积量，然后换算为膜厚。 如果，积分堆积量(质量)为m，蒸镀膜的密度为ρ，基片上的蒸镀面积为A，则膜厚可由下式确定 2-70 缺点： 1）精确度受到限制：在称重时，需将薄膜从真空系统中取出，薄膜会吸收大气中的水气等。 2)不能在一个基片上测定膜厚的分布，所得到的膜厚是整个面积A上的平均厚度； 3)若薄膜的实际密度不等于块材的密度时，所算得的厚度不是真正的膜厚。由公式算得的膜厚值小于实际的厚度值. 优点：灵敏度高，而且能测定淀积质量的绝对值; 　　　能在比较广的范围内选择基片材料; 能在淀积过程中跟踪质量的变化等。 （b）石英晶体振荡法 原理：利用改变石英晶体电极的微小厚度，来调整晶体振荡 器的固有振荡频率的方法。 　　石英晶体振荡法是利用上述原理，在石英晶片电极上淀积薄膜，然后测其固有频率的变化就可求出质量膜厚。此法在本质上也是一种动态称重法。 式中，f 为石英晶体的固有振荡频率；λ为波长；v为波速；t为石英晶片厚度，N为频率常数： ρ为石英晶片密度，c为切变弹性系数 对于AT切割方式，N＝1670 kHz?mm 2-75 对2-75 式求导，则得 2-76 由此可知，厚度的变化与振荡频率成比例，式中的负号表示石英晶体厚度增加时其频率下降。 若在镀膜时石英晶体上接收的淀积厚度（质量膜厚）为dx, 则相应的晶体厚度变化为 2-77 式中ρm 为淀积物质的密度，ρ是石英晶体的密度，为2.65g/cm3 2-78 优点： 测量简单，能够在制膜过程中连续测量膜厚; 精确度高，该方法的最高灵敏度为20Hz左右， 即12埃左右的质量膜厚。 缺点： 测量的膜厚始终是在石英晶体振荡片上的薄膜厚度； 每当改变晶片位置或蒸发源形状时，都须重新校正; 若溅射法中应用此法测膜厚、很容易受到电磁干扰； 探头(石英晶片)工作温度一般不允许超过80度,否则将带来很大误差。　　　 (2) 电学方法 (a) 电阻法 原理：电阻值与电阻体的形状有关 　　利用上述原理，来测量膜厚的方法称电阻法。它是测量金属薄膜厚度最简单的一种方法。由于金属导电膜的阻值随膜厚的增加而下降，所以用电阻法可对金属膜的淀积厚度进行监控，以制备性能符合要求的金属薄膜。 RS 正方形平板电阻器沿其边方向的电阻值，它与正方形的尺寸无关，常称为方电阻或面电阻，单位为Ω/□。（前提：薄膜必须连续) 式中ρ为金属膜电阻率，t为膜层厚度 电桥法测量电阻的原理 　　右图为由测量电阻值（RS)来测量膜厚的电桥回路原理图。其中，1为真空室，2为蒸发面。 一旦达到设计电阻值时，通过继电器控制电磁阀挡板，便可立即停止蒸发淀积。 　　使用普通仪器，电阻测量精度可达±1%至±0.1%。 　　采用电阻法测量的薄膜电阻值范围介于几分之一欧至几百兆欧之间。由于准确确定薄膜的ρ值有困难，所以用电阻法测得的膜厚仍有一定误差。通常为≥±5%左右。 缺点：随着薄膜厚度的减小，电阻增大的速率比预料的要大;薄膜界面上的散射和薄膜的结构与大块材料的结构不同，以及附着和被吸附的残余气体对电阻会造成影响。 　　超薄薄膜的电导率会发生变化。因为超薄薄膜是不连续的，以岛状结构形式存在 　　尽管如此，在相当宽的膜厚范围内，尤其在较高淀积速率和低的残余气体压强条件下，用电阻测量法确定膜厚仍然是适用的。　 (b) 电容法 原理：通过测量电介质薄膜的电容量来确定它的厚度 　　利用上述原理，按设计要求在绝缘基板上先淀积出叉指形电极对，并形成平板形叉指电容器。未淀积介质时，电容值主要由基板的介电常数决定。在叉指上淀积介质薄膜后，电容值由叉指电极的间距、厚度以及淀积薄膜的介电常数决定。只要用电容电桥测出电容值便可确定淀积的膜厚。 　　另一种方法是在绝缘基板上先形成下电极，然后淀积一层介质薄膜后，再制作上电极，使之形成一个平板形电容器。然后根据平板电容器的计算公式，在测出电容值后，便可计算出淀积介质薄膜的厚度。 缺点：由于确定介电系数和平板电容器或叉指电容器的表面积(电极)所造成的误差，限制了这种方法的准确性。 (c) 电离式监控计法 原理：电离真空计的工作原理 　　在真空蒸发过程中，蒸发物时蒸气通过一只类似B-A规式的传感规时，与电子碰撞并被电离，所形成离子流的大小与蒸气的密度成正比。由于残余气体的影响，传感规收集到的离子流由蒸发物蒸气和残余气体两部分离子流组成。如果用一只补偿规测出残余气体离子流的大小，并将两只规的离子流送到差动放大器，再通过电路补偿消除残余气体的离子流，这样得到的