半导体物理学chapter 5.pptVIP

推广到三维： 电子－空穴对复合的能量传给导带的电子 电子－空穴对复合的能量传给价带的空穴 热平衡时 逆过程 根据细致平衡原理 以上两种复合机构同时存在时，非平衡载流子的净复合率U为： 热平衡情况下： 非平衡情况下： 5.5 陷阱效应 当半导体处于平衡态时，无论是施主、受主、复合中心或其他杂质能级上，都具有一定数目的电子。 当半导体处于非平衡态时，若能级上电子增加，则认为此能级具有收容电子的作用；反之，则具有收容空穴的作用。 杂质能级这种积累非平衡载流子的作用就 称为陷阱效应。 在间接复合理论中，稳定情况下，杂质能级上的电子数为： 小注入情况下，能级上的电子积累可由下式导出： 影响相互独立，在表达式中形式对称，可以只考虑任一项 假定能级俘获电子和空穴的能力无差别，设 式中第2项总是小于1。因此，除非复合中心浓度Nt可与平衡载流子浓度之和（n0＋p0）相比拟或者更大时，是不会有显著的陷阱效应的。而实际上，典型的陷阱，虽然浓度小，仍可以使陷阱中的非平衡载流子远远超过导带和价带中的非平衡载流子。这说明，实际陷阱对电子和空穴的俘获能力有差别。 以电子陷阱为例， 少数载流子陷阱 陷阱俘获空穴后，很难俘获电子； 陷阱俘获电子后，很难俘获空穴。 杂质能级和费米能级重合，最有利于陷阱作用。 分析： 更低的能级，基本被电子填满，不能起陷阱作用； 更高的能级，平衡时基本是空着的，适于陷阱的作用，但随着Et的升高，电子被激发到导带的概率增加。 结论： 对电子陷阱来说，费米能级以上的能级，越接近费米能级，陷阱效应 越显著。 从以上分析可知，电子落入陷阱后，基本上不能和空穴直接复合，必须首先被激发到导带，再通过复合中心复合，因此增长了从非平衡态恢复到平衡态的驰豫时间。 P型硅的附加电导衰减 5.6 载流子的扩散运动 考虑空穴的扩散运动 稳态扩散方程 （1）样品足够厚，非平衡载流子无法到达样品的另一端。 扩散长度 由于扩散，单位时间、单位体积内积累的空穴数为： （2）样品厚度为W，设法在样品另一端将非平衡载流子全部引出。 三维情况下： 探针注入 令 5.7 载流子的漂移运动 爱因斯坦关系式 在外加电场的作用下，平衡载流子和非平衡载流子都会漂移，形成漂移电流。 若外加电场为E，则电子的漂移电流密度为： 空穴的漂移电流密度为： 若半导体中非平衡载流子浓度不均匀，同时也存在外加电场的作用，载流子的运动包含扩散运动和漂移运动两部分。 迁移率反映载流子在电场作用下运动难易程度； 扩散系数反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度； 爱因斯坦从理论上找到了扩散系数和迁移率之间的关系。 考虑一块热平衡状态的非均匀n型半导体，其中施主杂质浓度随x增加而下降。 因为电离杂质不能移动，载流子的扩散运动有使载流子均匀分布的趋势，这使半导体内部不再处处保持电中性。 平衡条件下，不存在宏观电流，因此电场的方向必然是反抗扩散电流，使平衡时电子的总电流和空穴的总电流分别为零，即： N型非均匀半导体中 电子的扩散和漂移 爱因斯坦关系式 总电流密度 5.8 连续性方程式 本节进一步讨论当扩散运动和漂移运动同时存在时，少数载流子所遵守的运动方程。 载流子的漂移和扩散 扩散积累的空穴为： 漂移积累的空穴为： 小注入条件下，复合消失的空穴数为 外界因素引起的空穴变化为： 连续性方程 若表面光照恒定，且 稳态连续性方程 考虑特例，半导体材料均匀，电场均匀。 其中， 是以下方程的两个根。 若令 空穴的牵引长度 如果电场很强， 如果电场很弱， 介绍几个例子说明连续性方程的应用 （1）光激发的载流子的衰减 若光照在均匀半导体内部均匀地产生非平衡载流子，则 同时假定没有电场，且 。在t＝0时，光照停止。 （2）少数载流子脉冲在电场中的漂移 假定无外加电场 假设解为： 过剩载流子只局限于x＝0附近很窄的区域内 如果样品上加上一个均匀电场，则连续性方程为： 作变量代换，令 （3）稳态下的表面复合 稳态光照，产生率为 。如果样品的一端存在表面复合，则这个面上的过剩空穴浓度将比体内为低，空穴将流向这个表面，并在那里复合。 设产生表面复合的面位于x＝0处，则上面方程应满足边界条件： 半导体物理学 理学院物理科学与技术系 第五章 非平衡载流子 5.1 非平衡载流子的注入与复合 5.2 非平衡载流子的寿命 5.3 准费米能级 5.4 复合理论 5.5 陷阱效应 5.6 载流子的扩散运动、漂移运动 5.7 连续性方程式 5.1 非平衡载流子的注入与复合 处