pr和v掺杂的bi4ti3o12铁电陶瓷的微结构及电性能 microstructures and electrical properties of pr6o11 and v2o5 doped bi4ti3o12 ferroelectric ceramics.pdfVIP

第26卷第9期 电 子 元 件 与 材 料 、bI．26№9 2007年9月 ELECTRONICCoMPONENTSANDMATERIALS SeD．2007 王传聪1，李道勇1，刘祖黎2 (1临沂师范学院物理系，山东临沂276005；2．华中科技大学物理系，湖北武汉430074) v2q的掺杂没有引起材料结构的改变。适当比例P∞l。的掺杂会使材料的铁电性能有明显的改善，但其电输运特性明 显不同于3价稀土离子的掺杂。实验表明，钒掺杂对材料铁电性能的影响主要体现在低电场下，不能简单地以氧空住 的变化来解释。配比为Bi308Pr075Ti298vomol2的样品的电学性能稳定并且具有较大的刺余极化。 关键词：无机非金属材料；Bi4Ti3012；Pr和v掺杂；铁电性能；微结构；导电机制 中图分类号：TM22+】文献标识码：A 文章编号：1001—2028(2007)09—0055-04 andelectricaI of