p型重掺杂应变si1-xgex层中少子常温和低温行为 the minority carrier concentration of strained si1-xgex layers as function of ge fraction and temperature.pdfVIP

第28卷第1期 固体电子学研究与进展 V01．28，No．1 SSE Ma“2008 2008年3月 OF RESEARCHPROGRESS P型重掺杂应变Sil一工Ge工层中少子常温和低温行为 赵传阵1． 唐吉玉1 肖海霞z文于华1吴靓臻1孔蕴婷1 (1华南师范大学物理与电信工程学院，广州，510006)(z肇庆学院物理系，广东，肇庆，526061) 2006-04-19收稿，2006—09—18收改稿 摘要；采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分工、温度丁以及掺杂浓度Ⅳ的关系．发现常温时，在同 一掺杂浓度下，少子浓度随Ge组分的增加而增大，其增加的速度越来越快；在同一Ge组分下。少子浓度随掺杂浓度 的增加而减少，其减少的速度越来越慢。低温下，在考虑杂质不完全电离的同时，对由非简并情形向简并情形过渡 的杂质电离出来的空穴浓度