高压pldmos器件的优化设计 design and optimization of the high voltage pldmos.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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高压pldmos器件的优化设计 design and optimization of the high voltage pldmos

电子与封装总第45期 2007年1月 ELECTRONICSPACKAGING 屯路设；计高压PLDMOS器件的优化设计肖金玉 (东南大学Ic学院，南京210096) 摘关键词：PLDMOS；漂移区；沟道区；场极板中图分类号：TN302 文献标识码：A and ofthe PLDMOS DesignoptimizationHighVbltage Xn0 Jin—yu (SD砒e以s!跏fVP坶妙圮砌毗“fe，舶可蚍210096，劬fn盘) Abstract：Theinfluenceofthe ofthedrift andfield onthebreakdown parameters region，channelregion plate ofthe Pu)MOShasbeen the andMedici．The VoltagehighVoltage inVestigatedbyusingsimulators弧upre-4 fesultsshowedmatthebreakdownonheo挹卜statcandoIl-stateexceeded200Vand experiment V01tages 160V respectively． words：PLDMOS；drift Key region；channelregion；field plate 参数的设计或对其某一部位的改进【4。】，针对高低压 1 引言尚不多见。由于器件的性能并不是各个参数性能的简在中等耐压M0s功率器件中，LDMOSFET单堆积，各个参数之间是相互影响的，因此对兼容普 (LateralDouble．diffusedM0sFET)由于其较高的击通半导体材料工艺的u)MOs骶『r器件的各个参数的综穿电压(几百伏)、较短的开关时间(纳秒级)而广泛合分析具有十分重要的意义。应用于打印机、电动机、平板显示器等高电压、低电流领域的驱动芯片中。这些驱动芯片的核心问题是高高压PLDMOS的几个关键参数的优化设计，包括漂低压工艺兼容。采用基于SOI材料的工艺技术，生产移区长度、结深、浓度，沟道长度以及场极板长度成本往往很高¨。】，迫切需要解决既能兼容普通半导等。所设计的器件进行了流片试验，测试结果显示体材料工艺又能达到相应的技术性能要求的芯片设计其击穿电压超过200V。及工艺问题。 u)MOSFET研究的关键是击穿电压和导通电阻之 2 PLDM0s器件结构及兼容工艺问的合理折衷，而漂移区、沟道区以及场极板的优化设计是提高LDMOSFET耐压的一个主要因素。目图1为高压PLDMOs器件的纵向剖视图，在外前国内外对u)MOsFEl、的研究主要是针对器件的某一延上制备一个P型漂移区，用来提高雪崩击穿电压，收稿日期：2006