r能谱及r射线的吸收 报告.docVIP

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r能谱及r射线的吸收 报告

实验课题 r 能 谱 及 r 射 线 的 吸 收 实验目的 学习用闪烁谱仪测量γ射线能谱的方法,要求掌握闪烁谱仪的工作原理和实验方法 学会谱仪的能量标定方法,识别γ能谱,了解物质对γ射线的吸收规律 3、并测量吸收片对γ射线的吸收系数和半吸收厚度。 实验原理 1、γ能谱仪 根据原子核结构理论,原子核的能量状态是不连续的,存在着分立能级。处在能量较高的激发态能级上的核,当它跃迁到低能级上时,就发射γ射线(即波长约在1nm ~ 0.1nm间的电磁波)。放出的γ射线的光量子能量,此处h为普朗克常数,ν为γ光子的频率。由此看出原子核放出的γ射线的能量反映了核激发态间的能级差。因此测量γ射线的能量就可以了解原子核的能级结构。测量γ射线能谱就是测量核素发射的γ射线强度按能量的分布。 闪烁谱仪测量γ射线能谱的原理 闪烁能谱仪是利用某些荧光物质,在带电粒子作用下被激发或电离后,能发射荧光(称为闪烁)的现象来测量能谱的。这种荧光物质常称为闪烁体。 闪烁体的发光机制 闪烁体的种类很多,按其化学性质不同可分为无机晶体闪烁体和有机晶体闪烁体。有机闪烁体包括有机晶体闪烁体、有机液体闪烁体和有机塑料闪烁体等。此处仅对常用的无机晶体闪烁体的发光机制作简单介绍。 最常用的无机晶体是铊激活的碘化钠单晶闪烁体,常写为NaI (T1),属离子型晶体,是绝缘体,按固体物理的概念,其能带结构是在价带和导带之间有比较宽的禁带。如有带电粒子进入到闪烁体中,引起后者产生电离或激发过程,即可能有电子从价带激发到导带或激发到激带,然后这些电子再退激到价带的可能过程之一是发射光子。这种光子的能量还会使晶体中其他原子产生激发或电离过程,也就是光子可能被晶体吸收而不能被探测到。为此在晶体中掺入少量的杂质原子称为激活原子,如在碘化钠晶体中掺入铊原子,其关键作用是可以在低于导带和激带的禁带中形成一些杂质能级,见图2.2.1-1示意图。这些杂质原子会捕获一些自由电子或激子到达杂质能级上,然后以发光的形式退激发到价带,这就形成了闪烁过程的发光,而这种光因能量小于禁带宽度而不再被晶体吸收,不再会产生激发或电离。这说明只有加入少量激活杂质的晶体才能成为实用的闪烁体 (2)γ射线与物质的相互作用    γ射线光子与物质原子相互作用的机制主要有以下三种方式:光电效应,康普顿效应,电子对效应。 1.2、闪烁谱仪的结构框图及各部分的功能 闪烁谱仪的结构框图示于图2.2.1-3中。它可分为虚线框I中的闪烁探头、虚线框Ⅱ中的数据采集系统及两虚线框之外的供电电源等部分。以下分别介绍各部分的功能。 闪烁探头 闪烁探头包括闪烁体、光电倍增管、前置放大器以及屏蔽暗盒等。实验中测量γ能谱多使用无机闪烁体如NaI (T1)晶体。闪烁体的功能是在γ光子的作用下产生数目与γ光子能量相关的荧光光子。这些荧光光子被光导层引向光电倍增管的光敏阴极而产生光电子,再在一系列倍增极上产生光电效应而使光电子的数目大大增加,最后在光电倍增管的阳极上形成电流脉冲。脉冲数目是和进入闪烁体γ光子数目相对应的。而脉冲的幅度和光电倍增管光敏阴极发射的光电子数目成正比,即和在闪烁体中产生的荧光光子树目成正比,从而和γ射线在闪烁体中损失的能量成正比。 (2)数据采集系统 闪烁谱仪框图中除去闪烁探头部分和谱仪的供电电源部分外,可称为数据采集系统,包括线性放大器、多道脉冲幅度分析器等。 因前置放大器输出的脉冲信号幅度小,不足以触发单道脉冲幅度分析器或定标器计数。因此需要经过线性放大器将信号按线性比例进行放大,一般输入脉冲的极性正或负均可,输出脉冲均为正极性,放大倍数可通过二进制分档再经过十圈电位器连续调节。具体使用方法应参阅实验室提供的仪器使用说明书。 多道脉冲幅度分析器的功能是将输入的脉冲按其幅度不同分别送入相对应的道址中(即不同的存贮单元中)。直接就可以给出各道址(对应不同的脉冲幅度)中所记录的脉冲数目,因此测量能谱就非常方便。有关多道脉冲幅度分析器的工作原理和使用方法参阅附录2。 1.3、γ能谱的形状 闪烁γ能谱仪可测得γ能谱的形状,图2.2.1-6所示是典型的γ射线能谱图。图的纵轴代表单位时间内的脉冲数目即射线强度,横轴代表脉冲幅度即反映粒子的能量值。 从能谱图上看,有几个较为明显的峰,光电峰,又称全能峰,其能量就对应γ射线的能量。这是由于γ射线进入闪烁体后,由于光电效应产生光电子,能量关系见式(1),如果闪烁体大小合适,光电子停留在其中,可使光电子的全部能量被闪烁体吸收。光电子逸出原子会留下空位,必然有外壳层上的电子跃入填充,同时放出能量的X射线,一般来说,闪烁体对低能X射线有很强的吸收作用,这样闪烁体就吸收了的全部能量,所以光电峰的能量就代表γ射线的能量,对,此能量为0.661MeV。 即为康普顿边界,对应反冲电子的最大能量。

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