x射线的物理学基础 2013.pptVIP

3.1. 连续X-射线 短波限 ?0 相干散射的强度 4.3 X-射线的衰减 将上式积分，得到： 质量吸收系数 μm与波长及原子系数的关系 吸收限的应用 4.2. X射线的吸收 物质对 X-射线的吸收指的是X射线能量在通过物质时转变为其它形式的能量，X-射线发生了能量损耗。（有时把 X-射线的这种能量损失称为真吸收）物质对 X-射线的真吸收主要是由原子内部的电子跃迁而引起的。这个过程中发生 X-射线的光电效应和俄歇效应。 光电效应； 俄歇效应。 热能 光电效应 当一个具有足够能量的 X-射线光子（非高速运动的电子束）碰撞到物质的原子时，可以将被照射物质原子中的内层电子打击出来，使原子处于激发状态，从而成为一个标识 X-射线的辐射源。（原子内层的电子被轰击出来产生电子空位，高能级的电子填充该空位发生电子跃迁时产生辐射，即产生特征 X-射线。） 这种以 X-射线光子来激发物质原子所发生的激发和辐射的过程称为光电效应。被击出的电子被称为光电子，所辐射出来的特征 X-射线称为次级（或二次）X-射线，或荧光 X-射线。 X射线的光电效应是由物质对入射 X-射线的吸收而引起的，在此过程中所产生的荧光 X-射线使得原 X-射线的强度剧烈衰减，且荧光 X-射线不产生衍射，只是造成底片上漫射的背底，这些对一般的 X-射线衍射分析是有害的，因此，实验中选择合适的靶尽量减少它的不利影响。 但是，在 X-射线荧光光谱分析中，恰好要利用它来分析物质的元素，因此，希望得到尽可能强的荧光 X-射线。所以，掌握了荧光 X-射线产生了机理和条件，就可以很好地控制和利用它。 俄歇效应 如果原子在入射 X-射线光子的作用下失掉一个 K 层电子（一次电离），它就处于 K 激发态；当一个 L 层电子填充这个空位后，会放出 ?K ? ?L 的能量。若能量释放出来的方式不是荧光 X-射线，而是以产生二次电离的方式，则称此种效应为俄歇效应。 （如，当原子处于 K 激发态时，若 ?K ? ?L ?L，则有可能使 L层的一个电子跃入 K 层，同时释放出来的能量 ?K ? ?L 使 L 层的另一个电子脱离原子逸出，产生二次电离。称该二次电子为 KLL 俄歇电子。） 俄歇电子的能量与激发源（光子或电子）的能量无关，只取决于物质原子的能级结构，每种元素都有自己的特征俄歇电子能谱。故可利用俄歇电子能谱做元素的成分分析。 K LI LII LIII M KLILII 俄歇电子 真空能级 俄歇效应 当一束 X-射线通过物质时，由于散射和吸收的作用使其在透射方向上的强度衰减。衰减的程度与所经过物质的距离成正比。 比例常数 ?l 称为线性衰减系数，它与物质种类、物质密度、及 X-射线的波长有关。 其中，I0 是入射 X-射线的强度，Ix 是穿透厚度为 x 的物质后的 X-射线强度，?l 为线性衰减系数。上式表明，X-射线通过物质后，将按指数规律迅速衰减。 X-射线强度的衰减是通过散射和吸收两种方式进行的。所以线性衰减系数 ?l 应该等于散射系数和吸收系数之和。在大多数情况下，散射系数要比吸收系数小得多，所以散射系数可以不计。以后将 ?l 称为线性吸收系数。 此时衰减规律则表示为： 对于一种物质，线性吸收系数 ?l 正比于它的密度，因此引入质量吸收系数 ?m： ?m = ?l / ? 如果吸收体物质是含有多个元素的物质，如化合物、合金、机械混合物等，则其质量吸收系数为： ?mi为第 i 种元素的质量吸收系数，Wi 为第 i 种元素质量分数 (%) Ix = I0 e??m?x 实验表明：质量吸收系数随波长的变化而变化，其变化曲线由两个明显不同的连续部分所组成。即质量吸收系数随着波长的变化会产生突变。 在突变之间， ?m 随波长 ? 和原子系数 Z 的变化关系可近似为： μm ? K?3Z 3 其中 K 为常数 ?m 随 ? 的变化曲线被尖锐的突变分开。这个突变所对应的波长为K吸收限，常用 ?K 表示。 吸收限主要是由光电效应引起的：当 X-射线的波长等于或小于 ?K 时，光子的能量高于击出物质的一个内层电子所需做的功 W，X-射线被吸收，激发光电效应，使 ?m 突变性增大。 吸收限与吸收物质的原子能级的精细结构对应。如 L系有三个副层，有三个吸收限。 X-射线衍射实验需要尽可能接近单色的X-射线，可是从 X-射线管发射出来的射线不仅含有 K? 线，还有较弱的 K? 线和连续X-射线。我们可以利用K吸收限的性质，选择一种材料，让该材料的 K 吸收限 ?K恰好位于阳极靶的特征X射线 K? 和 K? 的