基于图形衬底生长的gan位错机制分析 dislocation generation mechanism analysis of gan grown on patterned sapphire substrate.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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基于图形衬底生长的gan位错机制分析 dislocation generation mechanism analysis of gan grown on patterned sapphire substrate.pdf

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基于图形衬底生长的gan位错机制分析 dislocation generation mechanism analysis of gan grown on patterned sapphire substrate

光电子·激巍第19卷第4期2008年4月 Journalof V01．19No．4 Optoelectronics·Laser Apr．2008 ·材料· 基于图形衬底生长的GaN位错机制分析* 江洋一，罗毅，薛小琳，汪莱，李洪涛，席光义，赵维，韩彦军 (清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室，北京100084) 摘要：采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂CaN体材料的位错产生机制进行了研究，分析结果表明，位错来源于三个方面：一是“二步法”生长机制引入的位错；二是是由于图形衬底上不同区域CaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群；三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤。关键词：GaN；金属有机气相外延；图形衬底；位错；缺陷选择性腐蚀中图分类号：TN303；TN304文献标识码：A文章编号：1005-0086(2008)04—0478-04 Dislocation mechanismofGaN on sub- generation grownpatterned analysis sapphire strate JIANGYang～，LUOYi，XUEXiao-lin，WANGLai，LI Wei， Hong-tao，XIGuang-yi，ZHAO HAN Yan-jun (StateLabon ofElectronic Key IntegmtedOptoeleetronics，DepartmentEngineering，Tsinghua University，Belling 100084，China) Ah饥Id：T11e of CaNon growthproccessundoped patterned substrate(PSS)wasachievedmetalorganic sapphire by vapor thedefect-selectivemethod forcemi— phasedeposition(M0vPE)．Andetching combinedwith andatomic opticalmicroscope carriedoutto the of ofCaN eroscope(AFM)wasstudymechanismdislocation onVSSoTheresultsindieatethat generation thedislocationis fromthree coalsenceofCaN from probablygenerated aspects