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利用 lif 空穴阻挡层提高有机发光二极管效率 improved efficiency in oleds with a lif interlayer in hole transport layer
No．1
第31卷第1期 电子器件 V01．31
Chinese OfElectronDevices
2008年2月 JournaJ Feb．2008
inOLEDswithaLiF in
Hole
ImprovedEfficiency InterlayerTransportLayer。
LIAN
Jia—rong，YUAN
Yong-bo，ZHOUXiang。
Lab Materialsand ProvinceLab
KeyofOptoelectronic Technologies，G-tmngdongKey
，State of肼5户缸八
kMaterialandTechnology，Sun ，
demonstratean in based OLEDswithathinLiFinter-
Abstract：We improvedefficiencytypicalAlq3 bilayer
insertedintothehole thinLiF can influencethe
layer transportlayer(e．g．NPB)．Thisinterlayereffectively
electrical and ofthedevices．The
performancesingnificantlyimprove
deviceswith2nlnLiF at inNPBexhibitamaximumEL of6．3cd／A，
1ayeroptimalposition efficiency
whichiS1．5times than thecontroldevicewithouttheLiF．Ourresultsshow
higherthat(2．6cd／A)of
in
thattheLiF hole beusefulfor thehole and
interlayertransportlayermay injection
adjusting transport，
and EL
thehole-electronbalanceand inOLEDs．
improving efficiency
Key
words：OLEDs；efficiency；LiF；interlayer
EEACC：4150D
利用LiF空穴阻挡层提高有机发光二极管效率*
连加荣，袁永波，周
(中山大学光电材料与技术国家重点实验室，显示材料与技术广东省重点实验室，广州5102
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