利用vpcm设计深亚微米rfcmos的lcvco.pdfVIP

栏目编辑：高扬 PC FCMO O 用V M设计深亚微米R S的LCVC 国际集成电路制造(上海)有限公司多新中文建康英杨立吾 RF 本文介绍了采用SMICCMOS技术的设计方法以,及VPCM的准确上实现r这些电感。利用所测得的 牛设计了一款高性能LCVCo来验证VPCM。 s参数，可以通过下式获得电感值 司：SMICRFCMOS；VPCM；LCVCo 和品质因数。 L=imag(I／Y11)／(2xFreq)(1) RFCMOS 1) (2) 合。本文最后采用SMIC Q=imag(I／Yl1)／real(1／Y1 乜感是RF电路中最关键的器 技术设计了一个LCVCO，验证了 其中，Yll是Y参数的分量。 RF 表1所示为电感的几何尺寸、L、Q 一。电感的品质因数决定了 这种设计方法的有效性和SMIC 拘噪声和放大器的增益，也因 CMOS技术的能力。 和f…。图l所示为仿真结果和测试 芭了RF收发器的性能。电感的 结果的详细比较，表明sMIC工艺 亘常为数百平方微米，相对于 电感综合和验证 获得了Q值极高(20)的电感。图l MOS IC中的其他器件是较大 利用衬底技术文件中提供的金 还表明VPCM可以非常准确地预测 与据了大量的芯片面积。代工 属层和多晶硅层的厚度，电导率等 电感值和f。，电感值的偏差小于 圣致力于提高Q值并缩小电感 参数，VPCM可以根据需要的电感4％，f…的偏差小于10％。Q值的 并在PDK(工艺设计工具包)值、Q值和f。(自谐振频率)生成电偏差相对较大，可能高达40％。利 共了通用的电感。作为PDK 感，包括其模型和版图。整个过程 用现有的电感模型和仿真工具通 笆，本文将介绍利用Cadence可以在几分钟内完成。为了验证该 常难以获得准确的Q值。但是幸运 RF IC设计中，电感值的 勺VPCM(Virtuoso无源器件建 的是，在RF 模型的准确性，本文采用SMIC 计电感的方法，并对其进行 CMOS工艺生成了一组电感，包括准确性相对于Q值的准确性更为重 正，仿真结果与测试结果相吻 单端电感和差分电感，然后在硅片 要。而且可以确信的是，通过调整 过VPCM生成的电感及其实测数据 同脯 目 髓 匝 稠 暖 蠕 ■l ● ■J■ ■ _ 6 3 7 36 无 6．7 9．6 6．05 6．8 14．5 6．35 ．47’％ 33．8％ 4．7％ 6 2 5 42 无 3．72 11．4 10．03 3．77 19．4 9．95 1．33％41．2％ O．8％ ———— 8 2 6 50 有 6．59 13．4 5．8