扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响 effects of diffusion temperature and time on properties of single crystalline silicon solar cells.pdfVIP

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扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响 effects of diffusion temperature and time on properties of single crystalline silicon solar cells

第3l卷第4期 电 子 元 件 与 材 料 、,01.3lNo.4 ELECTRONICCoMPONENTSAND NIATERIALS A 2012 2叭2年4月 prI 扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响 王丽,陈阿青,王晓忠,乐栋贤,梅建滨 (乐山职业技术学院新能源工程系,四川乐山614000) 摘要:研究了薄层方块电阻对单晶硅太阳电池的开路电压(‰)、短路电流(气).填充因子(FF)和转换效率(叮)的 影响。通过控制扩散温度和时间制备了具有不同薄层方块电阻的单晶硅太阳电池。结果表明:当扩散温度和时间分 050 别为863℃和l s时,电池性能得到了有效的改善,其平均开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为 0.64V,5.58A,O.755和17.3%. 关键词:扩散温度;扩散时问;薄层方块电阻;单晶硅太阳电池;转换效率 中图分类号:TN366 文献标识码:A 文章编号:100l一2028(2012)04.0062.04 Effectsofdiffusion andtimeon of temperaturepropertiessingle J l● ■1● ■ 1■ CrVSta儿lneSlⅡC0nS0larCeUS WANG Jianbin Li,CHENGAqing,WANGXiaozhong,LEDongxian,MEl ofNew vocational&RchnicaI614000,Sichuan (Sch00l Ene嗡7Engineering,Leshan CollegeLeshall ProVince,China) onlhe of siliconsolar Abstract:Thee髓ctSofsheetresistance prope—escr),stalline cellS(CSSC),includingopen conversion studied.The circuit circuit CSSCwith voltage(‰),shoncurrcnt‰),删factor(FF)aJldefficiency(玎),Were di斤brentsheet托sistanceswere thedi在Usion andtime.TheresuItsshowthatth弓 preparedbychan舀ng temperatLlfe of are atthedi锄sion of863℃andthe timel CSSC di肋sionof050s.The e腩ctively tem

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