热设计建模仿真有助于功率半导体器件的热管理.pdfVIP

热设计建模仿真有助于功率 半导体器件的热管理 子产品设计师为了在紧凑的空 对功耗进行详细分析 如门驱动方式 开 电 国际整流器公司 间中开发新的功能 管理电子产 关时间以及二极管的恢复特性等 David Divins 品的热耗就变得极为重要 尤其是在电 传统的电路仿真器基于静态的热模 源转换电路设计中 这点更为明显 在 型 能可靠地计算低功耗芯片的性能 但 大多数应用场合 功率半导体器件(二极 对于功率电路来说 由于其本身发热 这 管 MOSFET以及IGBT)消耗了主要的 种方法是不够的 在这种情况下 精确的 热量 也是设计中首要考虑的热源 随 仿真就依赖于器件性能受温度的影响特 着机电技术不断向固态电路应用发展 性 设计师需要增加许多模型来描述器 这种趋势变得更为明显 狭小的空间使 件的工作行为 也就是所谓的热边界 基 得散热变得极为困难 例如 对于像继 于此可以得到温度的预测 从而确定不 电器这样的元器件 导通情况下要求的 同设计选择下的影响 以完成最终的设 或者更小 但等效的固态 电阻应为1m 计方案 器件(MOSFET)却有许多优点 如取消 为了深入理解某种情况下的仿真应 了触点损耗 减小了驱动电流要求 简 用 可采用不断的迭代反复设计 充分考 化了电流限制电路 但是其接触电阻将 虑功率电路的热分析 从而满足整体的 会是继电器的10~100倍 从而导致导通 设计要求 情况下的功耗也相应增加 在功率半导体 如二极管 所以 热限制因素是设计过程中首 MOSFETIGBT等器件中 热影响可以 要考虑的 从而会产生很多方面的权衡 通过一些关键的参数来进行建模 如工 首先 电路的拓扑结构选择最为关键 主 作电压 负载电流 开关频率以及门驱动 要是如何选择合适的开关频率 就物理 电路等 这些热源直接与系统设计过程 外观设计而言 主要考虑半导体的类型 中的热沉相关 如封装和安装 封装以及印制电路板的材料等 还需要 在时变电路 如开关电源的设计过 图1热响应曲线 考虑产品的工作环境 所能提供的散热 措施 如强迫风冷 或者高功率密度应 用 如液体冷却 当然所有的因素中 成 本永远是首位的 由于其复杂性 设计师需依靠功能 日益强大的仿真软件来开展产品的热设 计 仿真器采用数学模型来进行元器件 的功能和性能仿真计算 并不断逼近产 品的工作条件 对于功率器件来说 应 111 万方数据 电 源 与 电 源 管 理 技 术 曲线来初步确定器件在一定脉宽周期 幅度以及工作周期下的功耗 该信息结 合功耗预算情况可以初步估计器件从外 壳到结点之间的温度变化 然而 这种方法本身有很多的限制 尤其是在不能描述外壳安装方式的情况 下 外壳到结点的温度变化很难准确计 算 这种情况可以通过图1中完整的热堆