第6章存储器20150510.pptVIP

掩膜式ROM（ROM） ROM结构简单，价格便宜。存储器不需要加电来保持数据，因为在芯片里数据是以“硬连线”方式形成的。数据只能在制造期间由生产厂家用光刻工艺把程序代码 “烧”到芯片里。 三种类型的ROM结构图 一个ROM单元的照片（左边是放大1000倍，边是放大11200倍的） 现场编程ROM （PROM） PROM在出厂时未存储任何信息，使用时用户可根据需要自行写入信息，但信息只能写入一次，一旦写入变不可更改。 产品类型为双极型，速度快，功耗大。基本存储电路有熔丝型和PN击穿型两种。读数时间范围40~90ns，有些ECL产品读数时间可降低到20ns。 熔丝型PROM基本存储电路 PN结击穿型PROM基本存储电路 可改写的PROM（EPROM） 顶部开有一个圆形的石英窗口，用于紫外线透过擦除原有信息。 一般使用专门的编程器（烧写器）进行编程，编程后，应该贴上不透光封条。出厂时，每个基本存储单元都是信息1，编程就是将某些单元写入信息0。 擦除信息的方法：在紫外线下照射5~15分钟。 可改写的PROM（EEPROM） EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”。它的最大优点是可直接用电信号擦除，也可用电信号写入。有四种工作方式：读方式、写方式、字节擦除方式和整体擦除方式，包括并行EEPROM 和串行EEPROM 两