第6章 存储器及其接口li1.pptVIP

动态基本存储电路 （1）三管动态基本存储电路 三管动态基本存储电路如图，它由T1、T2、T3 3个管子和两条字选择线（读、写选择线），两条数据线（读、写数据线）组成。 T1是写数控制管； T2是存储管，用它的栅极电容Cg存储信息； T3是读数控制管；T4管是一列基本存储电路上共同的预充电管，以控制对输出电容CD的预充电。 (2)写入操作 写入操作时，写选择线上为高电平，T1导通。待写入的信息由写数据线通过T1加到T2管的栅极上，对栅极电容Cg充电。 若写入1，则Cg上充有电荷； 若写入0，则Cg上无电荷。 写操作结束后， T1截止，信息被保存在电容Cg上。 返回 (3)读出操作 先在T4管栅极加上预充电脉冲，使T4管导通，读数据线因有寄生电容CD而预充到1。使读选择线为高电平，T3管导通。 若T2管栅极电容Cg上已存有“1”信息，则T2管导通。这时，读数据线上的预充电荷将通过T3 、 T2而泄放，于是，读数据线上为0。 若T2管栅极电容上所存为“0”信息，则T2管不导通，则读数据线上为1。经过读操作，在读数据线上可以读出与原存储相反的信息。若再经过读出放大器反相后，就可以得到原存储信息了。 单管动态基本存储电路 单管动态基本存储电路如图，由T1管和寄生电容CS组成。 为了节省面积，电容CS不可能做得很大，一般使CS ＜CD。这样，读出“1”和“0”时