射频磁控溅射镀膜过程及机制(硕士论文草稿,有摘抄有实验有推断不保证正确).docVIP

2.1 薄膜的制备方法 溅射镀膜 磁控溅射 溅射过程 迁移过程 成膜过程 溅射镀膜 气相条件下沉积薄膜有两种主要的方式 ：物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)和化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD). 气相沉积是在气相环境中，采用不同的方式（如蒸发或溅射），把源材料上的原子或分子转变为气相，再沉积到衬底上。这个过程一般要在真空室内进行，以便于控制气相的成分，而且由于过程中，源材料要转变为气相再沉积，所以需要真空以减少大气对源材料的污染。 气相沉积的两种主要方式是蒸发和溅射，其本质区别是将源材料转变为气相的手段不同。蒸发是采用对源材料的原子或分子提供热能，使其逸出；溅射则是采用外来的高速离子，轰击源材料，使源材料的原子或分子获得大量的动能而溅射出来。 本论文中样品采用中科院沈阳科学仪器厂JGP350型磁控溅射镀膜机制备，真空抽气系统由机械泵（前级泵）和分子泵（主泵）组成，极限真空度可达2.0×10-4Pa。溅射系统配有三个立式靶，其中两个接射频阴极（RF），另一个接直流阴极（DC）。RF的溅射功率可在0～200W之间调节，直流电源电压为0～2000V。中间样品控制架上有3个样品夹具，样品控制架可通过旋转来选择所要溅射的靶。其中一个样品位的后面有加热电阻丝，可对该位置上的衬底加热，使得衬底温度在室温与400℃之间可调。靶和衬底间距为5cm。由于靶材CdTe和ZnTe陶瓷靶的电导率较低，所以采用射频溅射模式。工作气体为氩气。磁控溅射所用靶材是纯度为99.999%的ZnTe和CdTe化合物陶瓷靶，靶材直径为100mm、厚6mm。沉积薄膜用的衬底均为普通玻璃，衬底厚1mm，长宽为2.5×6cm。 射频溅射时，采用高频射频电源（13.56MHz））Cm，0.2Torr.cm,对应于巴邢曲线则为1KV以上，而本设备的起辉的电压不超过500V，明显偏低。 5）弧光放电 异常辉光放电时，在某些因素的影响下，常有转变为弧光放电的危险，此时，极间电压陡降，电流突然增大，相当于极间短路，且放电集中在阴极的局部地区，致使电流密度过大而将阴极烧毁，同时骤然增大的电流有损坏电源的危险。 此时可能是导致突然两电极之间的电子流通过多，过快，在这一相对区域，电流迅速增加；产生弧光，；有可能是由于两电极的某一区域，突然有Ar气被大比例电离，并引发更多的Ar气电离，产生区域内的雪崩效应） 两电极之间发生正常辉光放电时，电压电流关系如上。 两电极之间发生异常辉光放电（即溅射区域）时，电压V与电流密度j和气压P的函数关系如下： V=E+F（j）1/2/P 其中V为放电电压，j为电流密度，E和F是由电极材料、尺寸、和气体种类决定的常数。 在达到异常辉光放电区后，继续增大电压，一方面有更多的正离子轰击阴极产生大量电子发射，另一方面因阴极暗区随电压增加而收缩。 如果室壁或其他物体正好位于阴极附近，则离子密度和溅射速率的均匀性将发生严重差别，由于离子轰击是清除表面杂质的一种方法，任务杂质一经释放，将会成为放电的成本 ，并进而混入沉积的薄膜中。所以，无关零件应远离阴极及沉积区。 低压直流辉光放电时的暗区和亮区的分布。 从冷阴极发射的电子能量只有1eV左右，很少发生电离碰撞，所以在阴极附近形成暗区。（阿斯顿暗区）被正离子从阴极轰击出来的电子，其初始动能较小，仅有1eV左右。难以和Ar发生电离碰撞。所以在阴极附近形成暗区，没有辉光。 然后是比较明亮的阴极辉光区：它是在加速电子碰撞气体分子后，激发态的分子衰变，和进入该区的离子复合而形成中性原子造成的。电子经电场而加速，假设正负极间电压为400v,则电子加速一段距离，也会有几十电子伏特，有一定的动能，然后会增加与Ar气碰撞的机率。碰撞后，会使一部分Ar气激发，然后衰变放出光子，碰撞后失去部分动能的电子与Ar正离子发生复合的机率增加，复合产生的Ar原子衰变为低能态时也会释放光子，所以在这一区域形成阴极辉光区。 随着电子继续加速，获得足够动能，穿过阴极辉光区后，与正离子不易复合，所以又出现一个暗区。这一暗区的宽度与电子的平均自由程（也即电子的压强）有关。（克鲁克暗区） 没有复合以及在阴极辉光区电离新产生的电子，继续加阳极加速前进，穿过阴极辉光区后，电子获得的动能已经很大，所以与正离子不易复合，所以这一区域没有辉光产生。这个暗区的宽度与电子的平均自由程有关，是因为电子的平均自由程内，不发生碰撞的话，其动能就不会降下来，与正离子复合的机率就会很小。 随着电子速度的加大，很快获得了足以引起电离的能量，于是离开阴极暗区后便大量产生电离，在此空间由于电离而产生大量的正离子，由于正离子的质量较大，故向阴极和运动速度较慢，所以，由正离子组成了