由rtdmosfet构成的压控振荡器的设计与实现 the design and implementation of vco based on rtdmosfet.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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由rtdmosfet构成的压控振荡器的设计与实现 the design and implementation of vco based on rtdmosfet.pdf

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由rtdmosfet构成的压控振荡器的设计与实现 the design and implementation of vco based on rtdmosfet

第27卷第4期固体电子学研究与进展 V01．27，No．4 2007年1 Nov．，2007 1月 OFSSE RESEARCHPROGRESS 矿Ⅻ‘pd4p妒峭冬射频与微波％氐q邯对、《、《}“．#冉删牲、叫e}o 牛萍娟1 王伟1睾+ 郭维廉h2刘宏伟1 杨广华1 于欣1 代晓光1 (1天潍工业大学信息与通讯学院，天津，300160)(2夭津大学电子傣息工程攀院，天津，300072) 2007—02—12敌穰，2007—04—29羧竣穰实琢淡凝范圈谯20～26 MHz之翔。RTD与兰溃器终妁连接方式不弱胃呈现零嗣的谰铡J一矿特性，这种调潮特性对基于RTD的掇荡电路的羰率也会产生影响。遥避深入研究邀种调涮对振荡电路频率产生的影嗡，得弱多种不同予豢规方法静电蘧控制频攀方式，其中一些爨肖很好鹃线性度。疆戴该电路妨戮究对予RTD在离频、离速振荡电路中的遴～步应厢具有重襄意义。荚键词：聪控振荡器；接振隧穿二极管；RTD／MOSFET雎冗；高级设计系统审筵分类每：TN313。2文藏撂谖弼：A 文章绩曝：1000—3819(2007)04—487—06 The and ofVCOBasedon Implementation Design NlU WANGWeilGU()Weilianl2l。lU Pingjuanl Hongweil YANG YU XinlDAI Guanghual Xiaoguan91 QSchool and ofInformationCommunication，TianjinPolytechnic (2SchoolofElectronic InformationEng．，Tia柳inUniversity，Tianjin，300072，CHN) Abstract：Anovel controlledoscillator(VCO)based0nthecombinationofResonant voltage Diode(RTD)ofdifferential in Tunneling negative proposed this isverifiedAdvanced simulation．This paper．Itsfeasibility by System(ADS)circuit Design circuitis RTDandMOSFE量devices．andits isbetween implementedbyindependent range tuning 20～2巷M联z。TheelementofRTD’sconnectionwithotherthree．terminaldevicesindifferent