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3~5ghz超宽带并联负反馈低噪声放大器的设计 design of low noise amplifier with shunt feedback for 3-5 ghz uwb receiver
第41卷第1期 微电子学 V01.41,No.1
2011年2月 MZcroelectronics Feb.2011
3~5
GHz超宽带并联负反馈低噪声放大器的设计
王巍,彭 能,王颖,韩冰,唐政维,阮巍,周前能
(重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065)
GHz
摘要:设计了一种用于3--5MOFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器
(I,NA)。分析了RC电阻反馈式低噪声放大器的结构,针对其存在的噪声大、增益低等问题,提出
RF
一种改进电路结构;增加了一个源极电感,以克服上述电路的不足。采用TSMC0.18“m
CMOS工艺,进行设计和仿真。仿真结果表明:改进结构在保证良好的输入输出匹配和较好线性
度的前提下,提高了电路的噪声性能,在整个频带范围内,噪声系数小于1.9dB;同时,增益也达到
11dB左右。
关键词:超宽带;低噪声放大器;CMOS;并联反馈
中图分类号:TN722.3 文献标识码:A
of
LowNoise withShuntFeedback
Design Amplifier
for3-5GHzUWBReceiver
WANG
Wd,PENGNeng,WANG Wei,ZHOUQiaI】:neng
Ying,HAN腿,TANG压谢,RUAN
Electronics Postsand China)
(Collegeof Engineering,OumgqingUniversityof Telecommunications,a∞燃400065,P.R
ACMOS10Wnoise shuntfeedbackforRF GHz ul—
Abstract: amplifier(LNA)with front-endof3-5 MBOFDM
was order as noise
trawideband(I肿)receiver to overdeficiencies,such andlOW
designed.Inget large figure
I.NAwithRCresistor LNA withan source
feedback architectureadditionalinductor
gain,in topology,animproved
LNAcircuit RF
was was andsimulatedbasedonTSMC’S CMOS
proposed.The designed 0.18胛standard
resultsshowedthatthe structure noise ofthe had
perform
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