4h-sic mesfet表面陷阱效应研究 a study on the surface trap effect on 4h-sic mesfets.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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4h-sic mesfet表面陷阱效应研究 a study on the surface trap effect on 4h-sic mesfets

第)+ 卷第! 期微电子学 XD?Y )+ ，Z ! !+ 年月 !#$%’#($%)#* 1MEY !+ !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! !#$% ’($)(* 表面陷阱效应研究陈壮梁，罗小蓉，邓小川，周春华，黄’ 何，张’ 波，李肇基（电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都’ #(* ） ’ 摘’ 要：’ 借助,-. /012 ，对 3$-40 5.-6./ 进行二维数值模拟，研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明，在直流特性上，由于表面陷阱电荷引入附加耗尽层，器件饱和电流下降，输出电阻增加，夹断电压向右偏移，跨导降低；在瞬态特性上，表面陷阱电荷的缓慢变化引起了栅延迟的出现。能级靠近价带、密度较高时，表面陷阱效应越明显。关键词： ’ 3$-40 5.-6./ ；表面陷阱；直流特性；栅延迟中图分类号：’ /7)%#8 )’ ’ ’ ’ ’ ’ ’ 文献标识码：’ 1’ ’ ’ ’ ’ ’ ’ 文章编号：($))#*（!+ ）!$(#$ ’ + $,-./ 01 ,23 $-45673 *468 (5537, 01 !#$% ’($)(* ’9 03.7 9:;=$?4= ，@AB C4D$ED= ，2.7F C4D$G:;= ，93BA 0:;=$:; ， 3A17F 3H ，9317F ID ，@, 9:D$J4 （!#$$% $ ’()$*%*+ ,-. !$%+ /%*+ ，0-(1+ $ /%*+ !(+ ,-. 2*#-$%+ $ 3#(-, ，3#*-4.5 ，!(#5,- #(* ，6+ 7+ 3#(-, ） ’ +:9,467, ：’ -;EKGH$LEM HKKHGLN D= 20 =O LE=N4H=L G:EGLHE4NL4GN 4= 3$-40 5.-6./ ’N EH 4=PHNL4LHO QR ;N4= LSD$ O4TH=N4D=? =;THE4G? N4T;?L4D=8 UHN;?LN N:DS L:L ，KDE 20 G:EGLHE4NL4GN ，L:H OOHO OHM?HL4D= ?RHE 4=O;GHO QR N;EKGH LEM G:EH S4?? G;NH NL;EL4D= G;EEH=L OHGEHNH，D;LM;L EHN4NL=GH 4=GEHNH ，M4=G:$DKK PD?LH OE4KL LD E4:L ，=O LE=NGD=$ O;GL=GH EHO;GL4D= ，=O KDE LE=N4H=L G:EGLHE4NL4GN ，N?DS G:=H DK L:H N;EKGH LEM G:EH S4?? EHN;?L 4= L:H LH$? M:H$ =DTH=D=8 V:H= L:H H=HER ?HPH? DK N;EKGH LEMN 4N ?DGLHO 4= L:H ?DSHE :?K DK L:H H=HER M ，L:H LH ? QHGDTHN EH$ TEWQ?H8 1N EHN;?L ，OHP4GHN S4L: ?DSHE N;EKGH NLLH OH=N4LR HKK4G4H=L?R OHEOH L:H LH ? M:H=DTH=D=8 ;3/ 04.9 ：’ 3$-40 5.-6./ ；-;EKGH$LEM ；20 G:EGLHE4NL4GN ；FLH$? ((+ ：’ !*#- ’