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370~390 mhz sige bicmos功率放大器设计 design of 370-390 mhz sige bicmos power amplifier
第37卷第6期 微电子学 V01.37,No.6
2007年12月 MZc,Ioelecfro拜{cs Dec.2007
370~390MHzSiGe
BiCMOS功率放大器设计
熊秀春,李智群,李 亮,李文渊,王志功
(东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096)
摘要:给出了应用于“Witone数字集群移动通信系统”的移动用户台发射部分的功率放大器的
设计。该功率放大器基于AMS siGe
o.35弘m BiCMOS工艺,采用单端两级放大结构,工作于AB
dB,输入1
类。测试结果显示,设计的功率放大器的功率增益为22.9 dB压缩点功率为一10.1
dBm,对应的输出功率为11.8dBm,饱和输出功率25.5dBm,最大功率附加效率18.6%。
关键词: SiGe;BiCMOS;射频功率放大器
722.7+5 文献标识码: A
中图分类号:TN
of370—390MHzSi&BiCMoSPower
Design AmpIifier
XIONGXiu-chun,LI
Zhi—qun,LILiang,UWen.yuan,WANGZhi—gong
(hs£iftt据∥RF_OE二jD,跏m∞盯‰i铆苫幻,小忆巧i行g,.,彘mg跗210096,P.R.C}li撇)
Abs翻r叫:A370-390MHz fortrunkcon如unications AMS BicMOS
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Keywords:SiGe;BiCMOS;RFpower锄plifier
‘
1220
EEACC:
1 引 言 2功率放大器的工艺选择
移动通信是当今发展最快、应用最广和技术最 由于射频功率放大器电路工作在高频大信号状
前沿的通信领域之一。集群通信系统是一种用于集 态,所以,在工艺选择上普遍采用III/V族化合物
团调度指挥通信的移动通信系统,主要应用在专业 (如IIlP、&AsMESFET等)。但使用这些工艺制
移动通信领域。射频功率放大器是集群通信系统电 造电路成本较高,采用SiGeBiCMOS工艺设计电路
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