高灵敏度algangan hemt生物传感器设计及制作 design and fabrication of high sensitivity algangan hemt biosensors.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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高灵敏度algangan hemt生物传感器设计及制作 design and fabrication of high sensitivity algangan hemt biosensors

技术论坛高灵敏度AIGaN／GaNHEMT生物传感器设计及制作薛伟1’2，李加东1，谢杰1，吴东岷1 (1．中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所国际实验室，江苏苏州 215123； 2．中国科学院研究生院，北京100039) 固定需在金属或氧化物门电极上进行，针对金属或氧化物门电极的存在增加了器件的制作难度，提高了制作成本，同时还影响了传感器灵敏度的提高等问题，提出了进行“生物分子膜”门电极的研究。传感器的表面采用3一氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)进行修饰作为分子识剐元件固定的基底，该方法在降低传感器的制作成本的同时，提高了传感器的灵敏度，传感区域为长度 L=5弘m、宽度W=160pm的传感器测量质量浓度为0．1ng／mL的山羊免疫球蛋白(IgG)时。传感器源漏间电流呈现约30弘A的电流降。该传感器反应速度快，适用于实时监测，在环境监控、医疗等领域有着良好的应用前景。关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT)；生物传感器；生物分子膜门电极；灵敏度；山羊免疫球蛋白 andFabricationof Design HighSensitivity AlGaN／GaNHEMTBiosensors XueWeil“，Li Jiadon91，XieJiel，WuDongminl (1．International InstituteNano-TechandNamrBionics，ChineseSciences， Laboratory．Suzhouof Academyof Suzhou215123，China；2．GraduateSchoolChinese 100039，China) ofthe AcademyofSciences，Beijing surfacemodificationandmolecular fixationof Abstract：Currently，the recognitioncomponent becarriedoutonthe AIGaN／GaN transistor(HEMT)biosensorsshould high—electron-mobility oroxide ordertoSOlVethe theincreaseoffabrication metal electrodes．In gate problemsincluding duetOtheexis’ and cost，andthereductionofthe ofthesensor difficulty sensitivity production tenceofmetaloroxide electrodes，the wasstudied，thesurfaceofsensors gate biomolecule-gate wasmodifiedAPTESasthesubstrateofthemolecular comp