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高速低功耗cmos电荷泵的设计 design of high speed and low power cmos charge pump.pdf

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高速低功耗cmos电荷泵的设计 design of high speed and low power cmos charge pump

● , i班岱电壬蘧苤芝圣QQ墨笙蓥!Q翅总差至Z兰翘 仑塞盛皇堕皇翅拱g 高速低功耗CMOS电荷泵的设计 孔青荣1’2,胡赛纯3,殷蔚4,张红南1,黄雅攸1 (1.湖南大学物理与微电子科学学院湖南长沙410082#2.江西新余高等专科学校江西新余338031; 3.湖南城市学院湖南益阳413000,4.湖南岳阳职业技术学院湖南岳阳414000) 摘要:提出一种适用于锁相环路的高速、低功耗电荷泵电路的设计。针对传统电荷泵电路的电流失配问题,本设计引 入增益增强电路取代了传统电路中引用共源共栅来增加输出阻抗,大大提高了电路的性能。采用0.35pmCMOS工艺实现, as,整体平均功耗为0.3mw,实现了高速低功耗的 在HSpice的平台下进行仿真。仿真结果表明,该电路充放电时间为40 目的。 关键词:电荷泵;CMOS;高速低功耗;电流失配 中图分类号:TN911.8 文献标识码:B 文章编号:1004—373X(2008)10—007—02 of andLowPower CMOS DesignHighSpeed ChargePump KONG Saichun3,YINWei3,ZHANG Qingron91”。HU Hongnan‘,HUANGYayoul of andMicrcelectronicsScience,Hunan (1.CollegePhysics University,Changsha,410082,China; of 2.XinyuCollegeJiangxiProvice,Xinyu,338031,Chinas3.HunanCityUniversitytYiyang。413000tChinat 4.Hunan Professional Yueyang TechnologyCollege,Yueyang,414000,China) Abstract..Inthis andlow CMOS is whichissuitforthe speed power chargepumpdesigned phase—lockring paper,high circuitisusedin of circuit.Inviewofthemismatchofthetraditional enhancementelectric question chargepump,thegain

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