图形转移技术分析.ppt

纳米结构的图形转移技术;纳米结构的图形转移技术;传统的光学光刻技术;传统光刻技术遇到的困境：;新一代光刻技术和纳米制造;电子束光刻（Electron Beam Lithography）;几种电子束曝光系统的性能;极紫外光刻和X射线光刻;离子束光刻技术;原子光刻技术;摩尔定律：1965年Gordon Moore提出了芯片集成度每两年翻一番(后来改为每18个月翻一番)。自那时以来，IC集成度的增长一直遵循这一定律。;非光刻图形技术;软刻印技术;纳米压印技术;热压印工艺; 紫外压印一个新的发展，是提出了步进-闪光压印，它可以达到10nm的分辨率。;Here comes your footer *;（a） SiO2压模被用12次后的SEM 照片;三种压印技术的比较;扫描探针技术;扫描探针技术; 移动过程中第一个垂直的STM操作是由Eigler完成的，他在液氦温度线移动35个Xe原子在单晶Ni（110）表面过程了最小的IBM公司商标; 1993年Eigler等在Cu(111)表面上成功地移动了101个吸附的铁原子，写成中文的“原子”两个字，这是首次用原子写成的汉字，也是最小的汉字。; 中国科学院北京真空物理实验室的研究人员于1993年底至1994年初，以超真空扫描隧道显微镜（STM）为手段，在Si重构表面上开展了原子操纵的研究，取得了世界水平的成果。他们在室温下，用STM的针尖，并通过针尖与样品之间的相互作用，把硅晶体表面的原子拨出，从而在表面上形成一定规则的图形，如“中国”等字样，这些沟槽的线宽平均为2 nm，是当时在室温时，人们在Si表面“写”出的最小汉字。凹陷的地方是原子被拨出后显示的深黑色沟槽，凸起的亮点是散落的原子形成的，显白色。 ;Nano-imprint lithography: Templates, imprinting and wafer pattern transfer;background knowledge;a low viscosity photocurable monomer;Nano-imprint templates;Nano-imprint templates;High resolution posts and contacts.;Inspection;repairation;Nano-imprint tool;Pattern transfer;Fabrication of complex nanoscale structures on various substrates;Significance;Creative point:;Reasons:;Experimental program;FIG. Overall fabrication process of multistacked dual-side patterned films using UV-curable reverse nanoimprint lithography.;The surface patterns were formed from the PVA mold; The patterns on the interface side were originated from the quartz mold; The nanostructured layer was bonded to the Si wafer and glass plate using the UV-curable glue; no residual layer comprising the UV-curable glue was observed.;Here comes your footer *;summary;Thank You !