东芯IVSEP3203F50系统启动过程说明.PDFVIP

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南京博芯电子技术有限公司（） SEP3203 系统启动过程说明东芯 IV SEP3203F50 系统启动过程说明南京博芯电子技术有限公司（PROCHIP）南京博芯电子技术有限公司（） SEP3203 系统启动过程说明版本说明版本号日期编写人描述 V1.0 12/10/2004 肖建，张宇创建文档南京博芯电子技术有限公司（） SEP3203 系统启动过程说明目录 1．概述4 2 NOR FLASH 启动代码说明4 2.1 建立异常跳转4 2.2 配置 EMI 4 2.3 ．配置PMU6 2.4 搬运代码7 2.5 地址重映射7 2.6 PC 指针指向函数入口处8 3 NAND FLASH 启动说明 8 3.1 中断向量表和配置GPIO 口10 3.2 配置 DMA,PMU,EMI 各参数； 10 3.3 从 Nand Flash 指定位置搬运操作系统代码到 Sdram 中；11 3.4 复制启动代码本身到 Sdram 首地址处； 12 3.5 配置 EMI Remap 寄存器，Set PC。13 3 代码制作13 南京博芯电子技术有限公司（） SEP3203 系统启动过程说明 1．概述本文主要介绍从 nor flash 中启动和从nand flash 中启动的启动代码说明，以及代码制作。 2 NOR FLASH 启动代码说明 SEP3203 启动代码的主要任务是将 EMI 控制器中的 SDRAM 配置为使能，将 PMU 控制器配置为可用，同时把代码从 FLASH 搬运到 SDRAM，再将pc 指针指向入口函数的地址。 2.1 建立异常跳转 ;____________vector table bal RST_DO bal RST_DO bal RST_DO bal RST_DO bal RST_DO mov r1, r1 ;reserved exception bal RST_DO bal RST_DO ;the code for the fiq ARM 有七种异常向量，在此只需要能够跳转到下面的代码执行即可，不需要其它异常设置，因此，我们将异常向量统一写为 RST_DO 。 2.2 配置EMI ;1.config EMI RST_DO ldr r1, =0 ;THE ADD OF EMIADDR_SMCONF ldr r2, =0xbb3337ff str