直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长 dissolution at high temperature and re-growth of oxygen precipitation in czochralski silicon wafer.pdfVIP

下载本文档

2
0
约2.53万字
约 4页
2017-08-27 发布于上海
举报
版权申诉

直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长 dissolution at high temperature and re-growth of oxygen precipitation in czochralski silicon wafer.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长 dissolution at high temperature and re-growth of oxygen precipitation in czochralski silicon wafer

第卷第期半导体学报 28 1 VOl.28 NO.1 年月 2007 1 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan. 2007 直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长% T 符黎明杨德仁马向阳郭杨阙端麟浙江大学硅材料国家重点实验室杭州 310027 摘要!重点研究了直拉硅中氧沉淀在快速热处理和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行 CZ RTP 为. 实验发现 RTP 是一种快速消融氧沉淀的有效方式比常规炉退火消融氧沉淀更加显著硅片经. RTP 消融处理后在氧沉淀再生长退火过程中硅中体微缺陷 BMD 的密度显著增加 BMD 的平均尺寸略有增加而经过常规炉退火消融处理后在后续退火过程中 BMD 的密度变化不大但 BMD 的尺寸明显增大氧沉淀消融处. 理后后续退火的温度越高氧沉淀的再生长越快. 关键词!直拉单晶硅氧沉淀消融再生长 PACC 6170 中图分类号! + 文献标识码! 文章编号! # TN304.1 2 A 0253-4177 2007 01-0052-04 l 引言 2 实验氧是大规模集成电路用的直拉硅单晶中实验选取直径为电阻率为 CZ 200mm 10O cm 最主要的杂质在器件制造过程中过饱和的氧将左右 100 晶向的型单面抛光硅片作为样品在p . 聚集形成氧沉淀氧沉淀及其诱生缺陷可以有效吸. 同一硅片上取出若干 1cmX 1cm 小片抛光后用 1 除金属杂质从而有利于提高器件的成品率同傅里叶红外