直流磁控溅射znoal薄膜过程中氧气浓度的研究 the effect of oxygen concentration to dc magnetron sputtering znoal films.pdfVIP

下载本文档

9
0
约1.06万字
约 4页
2017-08-27 发布于上海
举报
版权申诉

直流磁控溅射znoal薄膜过程中氧气浓度的研究 the effect of oxygen concentration to dc magnetron sputtering znoal films.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

直流磁控溅射znoal薄膜过程中氧气浓度的研究 the effect of oxygen concentration to dc magnetron sputtering znoal films

V01．33 第33卷第1期电子器件 No．1 Chinese ofElectron 2010年2月 Joumal Devices Feb．2010 TheEffectof ConcentrationtoDC ZnO：AIFilms‘ Oxygen MagnetronSputtering WEl Xinying，QIKangcheng’，YUANHongmei。ZHANGLiangyan (School Scienceand ofOpto-electronicInformation，UniversityofElectronic TechnologyofChina，Chengdu610054。Ch／na) was the Abstract：The directcurrent method．Andthe ZnO：AI(ZAO)filmspreparedby magnetronsputtering effectof concentrationtothestructureand ofZAOfilmhasbeenstudied．Theresults oxygen photoelectricproperties indicatethat the concentrationisthe factorof ZAOfilm properoxygen key preparinghighquality ZAOfilmfabricatedon conditionsinthis showsa lowest of particular c—axis—orientation．a paper good resistivity 3．67×10—4Q·cmandan visibletransmittanceabove90％． average light Keywords：DC magnetronsputtering；ZAOfilm；oxygen EEACC：0520 直流磁控溅射ZnO：A1薄膜过程中氧气浓度的研究木韦新颖，祁康成+，袁红梅，张良燕 (电子科技大学光电信息学院，成都610054) 实验表明适当的氧气浓度是制备优质ZAO透明导电薄膜的关键。本实验条件下制备的ZAO薄膜最低电阻率为3．67×10。4 Q·cm，可见光部分透过率高于90％。关键词：直流磁控溅射；ZAO薄膜；电阻率；透过率中图分类号：TB303 文献标识码：A ZnO：Al(ZAO)是通过Al替位式取代ZnO结构同氧气浓度条件下ZAO薄膜的结构及光电性质。中的Zn而形成的一种透明导电氧化物薄膜(TCO)。 1 实验其光电性质与ITO相当；制备原材料廉价、丰富，制备过程不会产生污染性物质；稳定性好，尤其在氢等采用直流反应溅射的方法，制备ZAO薄膜，锌铝离子环境中。可广泛用作太阳能电池、平板显示器、合金为靶材(含铝质量分数2％)，氩气(99．999％) 发光二极管等光电器件中的透明电极。因此，ZAO 为