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摩尔定律 功能密度 --每个芯片上的元件数目每隔二十四个月增加一倍 可购买性 --引入技术过快可能会增加单位功能的成本，导致芯片对市场需求而言过于昂贵 摩尔定律发展趋势 逻辑器件的要求 MOS器件：栅控开关 理想逻辑器件 导致的问题 晶体管栅极厚度和沟道长度持续缩减，以减小开关和存储操作可靠运行所需的电压和功率—提升器件的运行速度； 器件尺寸超过纳米级尺寸，缩减尺寸技术接近原子级，会导致器件击穿和高漏电流—工作电压不能再减小。 解决思路 结构，材料，工艺，机制多方面融合。 扩展摩尔定律 工艺技术的等效按比例缩小 --栅极应变 --晶体管栅极采用高K金属栅极材料 --多栅极FET或FinFET的3D晶体管 --新的通道材料Ⅲ/ⅤGe 芯片级和系统级的体系结构和软件设计等效按比例缩小 --SRAM存储器架构 --多核处理器 新结构器件 单栅 --准SOI单栅器件 双栅 --平面双栅 --双栅FinFET --垂直双栅 围栅 --围栅硅纳米线MOSFET FinFETS晶体管 FinFET源自于传统标准的晶体管--场效晶体管 (Field-effecttransistor；FET)的一项创新设计，FinFET称为鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transist