MOCVD喷淋头的焊接工艺研究.pdfVIP

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焊攘与切割I Weldi咆 Cutti MOCVD 喷淋头的焊接工艺研究 中国电子科技集团公司第四十八研究所 (湖南长沙 410111) 胡晓宇彭志虹何华云 王慧勇 [ 摘要] 喷淋头是 MOCVD 反应器中的关键部件,其设计和加工难度大。采用特殊的结构设计和合理 工艺方法,配合加工工装和焊接夹具,选择合理的基准面和焊接参数,降低了加工难度。 (1)垂直喷淋方式 以 Thomas Swan 的 CCS 系列和 -、 概述 V耐心的 TurboDisk 系列 MOCVD 为代表。 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 设备多种多 (2 )双束流方式 以日本 Nichia 的双流(TF ) 样,其差别主要体现在气体引入方式。 气体引人方式决 MOCVD 为代表。 定了整个反应器的结构、加热方式及衬底承载和旋转方 (3) NOZZLE (径向三重流)方式 以 AIXTRO 式。 目前国际上比较先进的商用 MOCVD 反应器的气体 的 AIX 系列 MOCVD 为代表。 引人包括以下三种基本方式(如图 l 所示)。 另外,有文献报道了一种反向垂直喷淋式的 主气流 侧向气流N +H 2 2 HHI ™芝旦232 MOCVD 反应器,进气口与出气口均在衬底上方(如图 2 所示) ,但目前仅限于计算机模拟研究,尚没有在实用 的设备上得到验证。 与J | 基片室 | 出气口 (a) 双束流方式 衬底 气体入口 托盘 流动隔板 图 2 反向垂直喷淋式 MOCVD 反应器 目前,国内无论是在光电子领域(半导体照明,半 排出气一 导体激光器,红外、紫外探测器,空间太阳能电池等), 还是在微电子领域(HEMT、 HBT、 PHEMT 器件, (b) 垂直喷淋 气体入口 托盘 MESFET 微波与毫米披器件等)的研究型或生产型 MOCVD 基本上都依赖进口,仅在少数科研单位有自制 的实验型 MOCVD 设备。 2003 年5 月,中国电子科技集团公司第四十八研

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