光辐射的调制实现方法.ppt

光辐射的调制实现方法 1 电光调制 2 声光调制 3 磁光调制 4 机械调制 调制的基本方法 激光属于振荡频率在1013~1015Hz的相干电磁波，比无线电波（104~108Hz），微波（109~1011Hz）的频率高几个数量级，一般的电容电感振荡电路、晶体管振荡电路或者磁控管等调制方法已经无法直接对激光进行调制。 对激光进行调制，必须考虑光与物质相互作用中，介质中电偶极子振荡机制，利用介质极化率实部（折射率）的变化，对激光进行调制。 根据不同的光与物质相互作用类型，可以表现为电场、声场、磁场对光的控制作用，相对应为电光调制、声光调制和磁光调制。 ●1 电光调制 【基本要求】 1、基本原理；2、电光调制器的结构 电光调制的物理基础是电光效应，即某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将发生变化，当光波通过此介质时，其传输特性就受到影响而改变。 可做成光调制器件、光偏转器件和电光滤波器件。 下图是一个纵向电光强度调制的典型结构。 关键词：电光晶体的电光效应，偏光干涉法 光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约，而折射率的分布又与其介电常量（电容率）密切相关。 晶体折射率可用施加电场E的幂级数表示，即 电光调制的物理基础 或写成 式中， γE 是一次项，由该项引起的折射率变化，称为线性电光效应或泡克耳斯(Pockels)效应；由二次项 bE2 引起的折射率变化，称为二次电光效应或克尔（Kerr ）效应。 对于大多数电光晶体材料，一次效应要比二次效应显著，可略去二次项，故在只讨论线性电光效应。 对电光效应的分析和描述有两种方法：一种是电磁理论方法，但数学推导相当繁复；另一种是用几何图形───折射率椭球体(又称光率体)的方法，这种方法直观、方便，故通常都采用这种方法。 1.电致折射率变化 在晶体未加外电场时，主轴坐标系中，折射率椭球由如下方程描述： 式中，x，y，z 为介质的主轴方向，也就是说在晶体内沿着这些方向的电位移D和电场强度E是互相平行的；nx，ny，nz 为折射率椭球的主折射率。 当晶体施加电场后，其折射率椭球就发生“变形”，椭球方程变为 如下形式： 式中，γij 称为线性电光系数； i取值1，…，6；j取值1，2，3。上式可以用张量的矩阵形式表式为： 由于外电场的作用，折射率椭球各系数 随之发生线性变化，其变化量 可定义为 式中， 是电场沿 方向的分量。具有 元素的 矩阵称为电光张量，每个元素的值由具体的晶体决定，它是表征感应极化强弱的量。下面以常用的KDP晶体为例进行分析。 KDP（KH2PO4）类晶体属于四方晶系, 42m点群, 是负单轴晶体, 因此有 这类晶体的电光张量为: 磷酸二氢钾(KDP),磷酸二氘钾(DKDP)由于其拥有优越的紫外透过,高损伤阈值,双折射系数高等特性,被广泛地应用在多种工业用途(其非线性系数偏低)。这两种晶体通常被用于做Nd:YAG激光器的二、三、四倍频器件（室温条件下）。另外，它们也具有电光系数高的特点，故也被用于制作Q开关等。 而且， 因此，这一类晶体独立的电光系数只有 两个，可得： 由此得到晶体加外电场 E 后的新折射率椭球方程式: 由上式可看出, 外加电场导致折射率椭球方程中“交叉”项的出现, 说明加电场后, 椭球的主轴不再与 x, y, z 轴平行, 因此, 必须找出一个新的坐标系, 使上式在该坐标系中主轴化, 这样才可能确定电场对光传播的影响。为了简单起见, 将外加电场的方向平行于轴 z ，即 , 于是： 为了寻求一个新的坐标系 (x’, y’, z’)，使椭球方程不含交叉项，即具有如下形式： 式中， x’, y’, z’ 为加电场后椭球主轴的方向，通常称为感应主轴； 是新坐标系中的主折射率，由于x和y是对称的 , 故可将 x 坐标和 y 坐标绕z轴旋转α角，于是从旧坐标系到新坐标系的变换关系为： α x y x’ y’ 这就是KDP类晶体沿 Z 轴加电场之后的新椭球方程，如图所示。其椭球主轴的半长度由下式决定：